发布时间:2020-12-2 阅读量:1450 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网
压敏电阻是一种具有瞬态电压抑制功能的元件,可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合,压敏电阻测量时将万用表置10k档,表笔接于电阻两端,万用表上应显示出压敏电阻上标示的阻值,如果超出这个数值很大,则说明压敏电阻已损,压敏电阻的选用,一般选择标称压敏电压V1mA和通流容量两个参数。

与热敏电阻不同的是,热敏电阻是起限流作用,压敏电阻,而压敏电阻是限压作用。压敏电阻的参数。压敏电压UN(U1mA):通常以在压敏电阻上通过1mA直流电流时的电压来表示其是否导通的标志电压,这个电压就称为压敏电压UN。压敏电压也常用符号U1mA表示。压敏电压的误差范围一般是±10%。在试验和实际使用中,通常把压敏电压从正常值下降10%作为压敏电阻失效的判据。
最大持续工作电压UC:指压敏电阻能长期承受的最大交流电压(有效值)Uac或最大直流电压Udc。一般Uac≈0.64U1mA,Udc≈0.83U1mA。最大箝位电压(限制电压)VC:最大箝位电压值是指给压敏电阻施加规定的8/20μs波冲击电流IX(A)时压敏电阻上呈现的电压。漏电流Il:给压敏电阻施加最大直流电压Udc时流过的电流。测量漏电流时,通常给压敏电阻加上Udc=0.83U1mA的电压(有时也用0.75U1mA)。一般要求静态漏电流Il≤20μA(也有要求≤10μA的)。在实际使用中,更关心的不是静态漏电流值本身的大小,而是它的稳定性,即在冲击试验后或在高温条件下的变化率。在冲击试验后或在高温条件下其变化率不超过一倍,即认为是稳定的冲击电流及重复冲击次数。
压敏电阻器是吸收或释放线路中存在的雷电感应过电压和操作过电压的限压型保护元件,同时作为线路系统和设备的元件,还须承受低压供电线路和设备均要承受的暂时过电压。因此压敏电阻器在线路中应用时须承受雷电过电压、操作过电压和暂时工频过电压的冲击,压敏电压通常以在压敏电阻上通过1mA直流电流时的电压来表示其是否导通的标志电压,这个电压就称为压敏电压,也常用符号表示。压敏电压的误差范围一般是正负百分之十。在试验和实际使用中,通常把压敏电阻电压从正常值下降百分之十作为压敏电阻失效的判据。另外它的冲击电流大脉冲宽度远远小于大功率半导体系统实际脉冲电流宽度,所以才会时常发生短路。压敏电阻常用作过压保护设备,但是它的通流容量虽大,但容量却不大。
过压保护压敏电阻也经常被用于保护可控硅整流器之中,我们应该怎样选取合适的过压保护压敏电阻器呢?一般情况下,3kA的压敏电阻型号通常会被用在电器设备的浪涌吸收上,而5kA的电阻型号则多被用在对雷击及电子设备的过电压吸收上,10kA的则会被用在对雷击的保护上。这里我们以雷击保护为例来进行说明。

通常在测试时,我们会选择常用综合波(发生器开路输出时产生1.2/50μs的电压波;短路输出时产生8/20μs的电流波;发生器的内阻为2Ω)来在线考核设备对抗雷击浪涌干扰的能力。在4kV试验时,过压保护压敏电阻吸收的电流可达2kA,对6kV的试验,吸收电流值为3kA。但在实际选择时,还应当适当加大所选过压保护压敏电阻的通流容量。
晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。