发布时间:2020-12-23 阅读量:1389 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网
已知380V三相电动机容量,求其过载保护热继电器元件额定电流和整定电流。电机过载的保护,热继电器热元件;号流容量两倍半,两倍千瓦数整定。容易过负荷的电动机,由于起动或自起动条件严重而可能起动失败,或需要限制起动时间的,应装设过载保护。

长时间运行无人监视的电动机或3kW及以上的电动机,也宜装设过载保护。过载保护装置一般采用热继电器或断路器的延时过电流脱扣器。目前我国生产的热继电器适用于轻载起动,长时期工作或间断长期工作的电动机过载保护。热继电器过载保护装置,结构原理均很简单,可选调热元件却很微妙,若等级选大了就得调至低限,常造成电动机偷停,影响生产,增加了维修工作。若等级选小了,只能向高限调,往往电动机过载时不动作,甚至烧毁电机。正确算选380V三相电动机的过载保护热继电器,尚需弄清同一系列型号的热继电器可装用不同额定电流的热元件。热元件整定电流按“两倍千瓦数整定”;热元件额定电流按“号流容量两倍半”算选;热 继电器的型号规格,即其额定电流值应大于等于热元件额定电流值。
电解电容的电参数包括下列五点:1、电容值电解电容器的容值,取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值, 也就是交流电容值,随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准规定:铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz,最大交 流电压为 0.5Vrms,DC bias 电压为1.5 ~ 2.0V 的条件下进行。可以断言, 铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。
损耗角正切值 Tan δ在电容器的等效电路中,串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ, 这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。显然,Tan δ 随着测量频率 的增加而变大,随测量温度的下降而增大。阻抗 Z在特定的频率下,阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗(Z)。它与电 容等效电路中的电容值、电感值密切相关,且与 ESR 也有关系。Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]式中,XC = 1 / ωC = 1 / 2πfCXL = ωL = 2πfL电容的容抗(XC)在低频率范围内随着频率的增加逐步减小,频率继续增加 达到中频范围时电抗(XL)降至 ESR 的值。当频率达到高频范围时感抗(XL) 变为主导,所以阻抗是随着频率的增加而增加。

漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而,由于铝氧化膜介质上 浸有电解液,在施加电压时,重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小 的称之为漏电流的电流。通常,漏电流会随着温度和电压的升高而增大。纹波电流和纹波电压,常将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”。 含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。 它们和ESR 之间的关系密切,可以用下面的式子表示:Urms = Irms × R式中,Vrms 表示纹波电压Irms 表示纹波电流R 表示电容的 ESR由上可见,当纹波电流增大的时候,即使在 ESR 保持不变的情况下,涟波电压也会成倍提高。换言之,当纹波电压增大时,纹波电流也随之增大,这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。叠加入纹波电流后,由于电容内部的等效串连电阻(ESR)引起发热,从而影响到电容器的使用寿命。一般的,纹波电流与 频率成正比,因此低频时纹波电流也比较低。
晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。