电机正反功率及EEPROM擦除存储

在实际控制中，对“功率级别控制”时，其“动力源”多源自于“电机正反转”，其工作电流较大，若使用三极管、MOS管进行通断控制，由于此类有源器件本身存在最大功率限制，在中小功率场合可满足需求，但对“几十安”、“上百安”的电流场景，有源器件在此时就则不太适应；

首先，在大电流条件下（假设为10.0A），理想假设自身压降只有0.5V，理想条件下，自身功率损耗P=10*0.5=5W，而实际中，若是适应三极管，其自身的压降大多条件下会达到“2.0V以上”，此时的功耗P=10*2=20W；如此大的功率浪费，在设计中是应当避免的，此时若是适应继电器，则不存在此能量浪费；再者，对“功率级控制”而言，其对“控制实时性要求”多保持在“毫秒级”，大多条件下，普通继电器足可满足需求；

电机正反转控制，其使用2个“单刀双掷开关”实现对“电机正反转控制”；此时，可使用“单片机+驱动电路+5P常开/常闭继电器”通过“程控”实现“电机正反转控制”；只需将“单片机”的2个GPIO信号，通过“驱动电路”进行“放大”，用“放大后信号”驱动“继电器动作”即可实现“电机正反转控制”；若使用“+5V继电器”进行控制，此时，电机的“工作电压”为“+12V”，“继电器”的“驱动电压”为"+5V"。

此时只需使用“单片机”控制“CTRL_1”及“CTRL_2”的“GPIO高低电平”即可控制“电机M”的“正反转”或“静止”；注意：“继电器”侧面接入的二极管是为“继电器关断”提供“泄放回路”，其在“关断要求不高”的场合，若省略此二极管也可工作，但为保证电路有效通断，设计时建议加入二极管，必要时，可在二极管泄放回中再串联一个小电阻，用于消耗通断时的脉冲电动势。

擦除EEPROM。如果EEPROM包含配置和时序数据，则在进行新配置和时序数据编程之前，应擦除EEPROM页。要擦除EEPROM空间，请执行以下步骤：1.将0x05写入寄存器0x90，以使能EEPROM数据块擦除。2.擦除或访问0xFA00至0xFBFF地址范围的EEPROM时，首先应暂停时序控制引擎。将0x01写入SECTRL寄存器0x93，以暂停时序控制引擎。每次对时序控制引擎的EEPROM空间执行读或写处理时，都必须暂停该引擎。3.擦除或访问0xF800到0xF89F或0xF900到0xF9FF地址范围的EEPROM时，应将0x01写地址为0x9C的BBCTRL寄存器。这可以暂停黑匣子操作，并使能对EEPROM的0xF800到0xF89F和0xF900到0xF9FF地址范围的访问。4.将0xF800写入，它是EEPROM A第1页的起始地址。5.将0xFE写入器件，它擦除第0页。6.重复步骤4和步骤5，每次迭代让低位地址偏移32。步骤4中的地址为0xF820、0xF840、0xF860，依此类推。在后续的擦除操作之间添加25 ms延迟。

将配置和时序数据写入EEPROM，要将配置和时序数据写入EEPROM，请执行以下步骤：1.将0x01写入寄存器0x90，使得配置寄存器能够持续更新。2.将0xF800写入器件，它是EEPROM A第 1 页的起始地址。3.使用命令0xFC，写入要发送的数据字节数，也就是0x20(32个字节）后跟32字节数据。4.重复步骤2和步骤3，每次迭代让低位地址偏移32。步骤2中的地址为0xF820、0xF840、0xF860，依此类推。