锁定5G手机 西部数据推出第二代UFS 3.1行动储存解决方案

发布时间:2021-06-24 阅读量:1392 来源: 我爱方案网 作者:

Western Digital宣布推出适用于5G智能手机的第二代UFS3.1储存解决方案。全新的Western Digital iNAND MC EU551嵌入式快闪储存装置为使用者提供高效能储存空间,可支持超高解析度相机、AR/VR、游戏及8K录影等新兴手机应用。


20210623002140.jpg


IDC预估2021年5G智能手机将占全球智能手机出货量40%以上,2025年更将增长至69%。随着网路频宽不断提升且延迟率降低,Western Digital iNAND系列即为这些新应用提供所需高容量、高效能的嵌入式储存方案,来实现全新使用者体验。


Western Digital车用、行动与新兴事业部资深副总裁暨总经理Huibert Verhoeven表示:“我们在生活中各方面都依赖智能手机。伴随着5G高速网路、感知创新和人工智能的成长,手机的平均容量及高效能数位生活的需求也大幅增长,凭借全新的UFS3.1iNAND解决方案,用户可透过资料密集的应用情境,享受更高速串流的游戏、工作和学习方式。”


iNAND MC EU551行动储存装置为第一款Western Digital为全新UFS3.1平台所打造的产品。iNAND MC EU551采用更快的NAND快闪记忆体、更迅速的控制器和优化的韧体设计,效能与上一代相比大幅提升,具体包含:


随机读取效能提升100%,随机写入效能最高提升40%,可支持同时运行多个应用程式等混合工作负载体验。

连续写入效能提升90%,有助于加速全新5G和Wi-Fi6下载潜力,更为串流8K影像等高解析度媒体档案提供更佳体验,增进连拍模式摄影应用情境的效能。

连续读取效能提升30%,使应用程式启动速度更快、启用时间更短、上传速度更快。


此款最新产品符合JEDECUFS3.1规范,采用Western Digital第7代SmartSLCTM的最新写入强化技术,更进一步结合各式标竿性进程,具备主机效能增强器(Host Performance Booster;HPB)2.0技术。


iNAND MC EU551隶属于Western Digital iNAND系列。Western Digital将持续与SoC设计领导厂商合作,协助UFS3.1解决方案审核通过智能手机参考设计,为制造商提供已测试的整合解决方案。Western Digital iNAND MC EU551 UFS3.1嵌入式快闪记忆体(EFD)已开始提供样品,预计于2021年7月起批量上市。此储存解决方案提供128GB、256GB和512GB容量。


220x90
相关资讯
晶振启动时间影响因素解析与优化方向

​晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。

解析RTC实时时钟芯片的工作原理

RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。

无源晶振与有源晶振在MCU应用中的关联逻辑与选型指南

时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。

VC-OCXO压控恒温晶振管脚功能定义解析

恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。

晶振倍频干扰解决方案:从PCB布局优化到源头抑制与电路整改

晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。