发布时间：2021-06-25 阅读量：1055 来源: 我爱方案网 作者:
2021年6月24日，基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr，80V和100V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF(100V)和PSMN3R5-80YSF(80V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on)xQrr)。
Nexperia产品经理Mike Becker指出：“鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资全球制造工厂以提高产能，包括曼彻斯特和菲律宾的MOSFET生产设备，这对买方来讲一个好消息。新型MOSFET的性能也令设计人员感到兴奋。这些MOSFET非常适合各种开关应用，也可以替代其他供应商的产品。”
NextPower 80V和100V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100V器件为7毫欧，而新器件只有4.3毫欧，效率大大提高。对于100V器件，NextPower技术还提供44nC的极低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干扰。总体而言，100V器件的Qrr品质因数平均比竞争对手同类产品低61%。
新的80V和100V MOSFET采用具有高热性能和电气性能的Nexperia LFPAK56E铜夹片技术封装。器件广泛适用于开关应用，包括AC/DC、DC/DC和电机控制等。
晶振的启动时间，通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长，可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC（Real-Time Clock，实时时钟）芯片作为一种独立的专用计时器件，其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳，为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器（MCU）稳定运行的核心，而晶振作为关键时钟源，主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度，系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振（Oven Controlled Crystal Oscillator，简称OCXO）是高精度频率源的核心组件，选用切型更优（如SC切、AT切高精度型）、封装应力极小的高Q值晶片，通过恒温槽的超精密控温，让晶振始终工作在零温度系数点，几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰（即高次谐波辐射）是电磁兼容（EMC）设计中非常棘手的问题，通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波（如125MHz、175MHz等）处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分，若PCB布局不当，晶振及其走线极易构成高效辐射天线，导致电磁干扰增强。
