ADI强势推出高效率、低EMI稳压器，适用于多款汽车！

导读：单片式降压型稳压器LT8640S和LT8643S集紧凑布局、高效率和超低EMI于一体，非常适合汽车环境应用。

易于布局、超低EMI、高效率的Silent Switcher2

LT8640S/LT8643S是42V、6A连续电流/7A峰值电流单片式降压型稳压器，采用第二代Silent Switcher2架构。Silent Switcher稳压器通过将高频环路一分为二来抑制EMI辐射，分离环路产生的磁场相互抵消。第二代Silent Switcher2在封装内集成了旁路陶瓷电容。这些电容位于快速交流环路（VIN、BST和INTVCC）内，因此需要精密且可重复的PCB布局才能确保EMI性能。集成这些电容大大简化了PCB布局和制造要求。即使是低成本的双层电路板，现在也能具有出色的EMI性能。

在汽车应用中，设计人员偏向于使用2MHz或更高开关频率的电源，以避开AM频段并使解决方案尺寸最小化。遗憾的是，高开关频率通常意味着更低的效率和更高的功耗，迫使设计人员要在小尺寸和低EMI性能与效率之间进行权衡。LT8640S和LT8643S消除了这种权衡：得益于可控且快速的开关边沿，即使在高开关频率下，它们仍能以高效率和低功耗运行。

图1显示了一个超低EMI且高效率的LT8640S12V至5V/6A设计。内部稳压器由5V输出通过BIAS引脚供电，以降低功耗。该设计的开关频率设置为2MHz。使能展频模式(SYNC/MODE=INTVCC)，使得开关频率在3kHz三角调制下可以从2MHz变化到2.4MHz。

图1：展频模式的超低EMILT8640S5V/6A降压转换器

图2比较了采用图1所示设计的2层和4层板的EMI辐射。两块电路板均符合严苛的汽车级CISPR25Class5辐射EMI要求，仅需在输入侧使用铁氧体磁珠。图3显示了效率。在高达2MHz的开关频率下，LT8640S12V输入的峰值效率达到95%，24V输入的峰值效率达到92%。

图2：采用图1所示设计，2层和4层板的CISPR25EMI辐射比较

图3：采用图1所示设计的LT8640S5V/6A输出效率(fSW=2MHz)

图4显示了9V输出的LT8640S设计。图5显示了5A负载时的热结果。在45W输出功率和1MHz开关频率下，由于采用了增强散热技术，LT8640S4mm×4mmLQFN封装的温升低于50°C。

图4：LT8640S24V至9V/6A降压转换器

图5.LT8640S24V至9V/5A热图像，采用图4设计（fSW=1MHz，TA=25°C）

多个LT8643S器件可以并联，以支持7A（峰值）以上的输出电流。LT8643S利用电流模式控制和外部补偿实现平衡均流——这在并联配置中非常重要。将所有误差放大器的输出VC引脚连接在一起，便可自然地实现均流。无需额外的时钟器件，CLKOUT和SYNC/MODE引脚即可实现频率同步。

图6显示了12V至3.3V/12ALT8643S并联设计的简洁性。上方LT8643S通过让SYNC/MODE引脚浮空而设置为强制连续模式，其CLKOUT信号驱动下方LT8643SSYNC/MODE引脚以实现同步。图7显示了该设计的效率，而图8显示了8A阶跃瞬态响应。

图6：使用两个LT8643S器件的并联3.3V/12A降压转换器

图7：LT8643S12V至3.3V、8A阶跃负载瞬态响应，采用图6所示并联设计(fSW=1MHz)

图8：LT8643S12V至3.3V/12A效率，采用图6所示并联设计(fSW=1MHz)

结论

LT8640S和LT8643S是6A（峰值7A）、超低EMI单片同步开关稳压器，采用小型4mm×4mmLQFN封装。已获专利的Silent Switcher2架构可确保EMI辐射极低。集成环路电容消除了PCB布局敏感性，有助于节省设计工作量和解决方案成本。同步设计和快速开关边沿可提高重载时的效率，而低静态电流对轻载效率有利。3.4V至42V的宽输入范围和低压差使LT8640S和LT8643S能够满足汽车冷启动或负载切断情况下的要求。