全球晶片产能中国台湾名列第一，位居第二的韩国占比20.4%

作为全球总装机容量的百分之一，中国以牺牲其他地区为代价，实现了最大的装机容量增长，但在装机容量方面仍落后于中国台湾、韩国和日本。

IC根据全球晶片容量2021-2025报告按地理区域(或国家)列出了世界每月安装的晶片容量。图1显示了截至2020年12月按区域分列的装机容量。

为澄清数据所代表的含义，每个区域的数字是位于该区域工厂每月总装机的容量，而不论拥有这些工厂公司的总部地点如何。例如，位于韩国的三星在美国安装的晶片容量计算在北美的总容量中，而不是在韩国的总容量中。这一行“区域”主要由新加坡、以色列和马来西亚组成，但也包括俄罗斯、白俄罗斯和澳大利亚等国家/地区。

图1

“2021-2025年全球晶圆容量报告”中关于按区域分列的集成电路容量趋势的一些意见包括：

截至2020年12月，中国台湾拥有全球晶片产能的21.4%，居世界前列。位居第二的是韩国，占全球晶片容量的20.4%。中国台湾是200毫米晶片的产能领先者。在300毫米晶片方面，韩国处于领先地位，紧随其后的是中国台湾。三星和SKHynix继续积极扩张他们在韩国的工厂，以支持他们的高容量DRAM和NAND闪存业务。

在2011年超过日本之后，中国台湾在2015年超越韩国，成为最大的容量持有者。预计到2025年，中国台湾仍将是最大的晶片产能地区。据预测，2020年至2025年期间，中国每月将增加近140万晶圆晶片(相当于200毫米)的装机容量。

到2020年末，中国拥有全球15.3%的产能，几乎与日本持平。预计2021年中国的装机容量将超过日本。2010年，中国晶片产能首次超过欧洲，2016年首次超过排区产能，2019年首次超过北美产能。

预计中国将是唯一一个在2020年至2025年期间提高产能份额的地区(3.7%)。尽管中国主导的大型新dram和nand工厂的推出预期已有所缓和，但在未来几年里，总部设在其他国家的存储制造商和本土集成电路制造商也将向中国输送大量晶片产能。

预计北美的产能份额在预测期内将下降，因为该地区大型无厂供应商行业继续依赖于铸造厂，主要是以台湾为基地的工厂。预计欧洲的产能份额也将继续缓慢萎缩。