发布时间：2021-07-23 阅读量：912 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
芯片封装一直是芯片制造中的一个重头戏，在传统的2D封装技术已经发展到瓶颈之后，半导体制造商们把目光转向了3D堆叠工艺。我们已经看到了大量的3DNAND闪存，英特尔和AMD也都有宣布关于3D芯片的研究，现在Arm和GlobalFoundries也加入了这个领域。
格罗方德（GlobalFoundries）昨日宣布，它已经开发出基于Arm的3D高密度测试芯片，该芯片将实现更高水平的性能和功效。新芯片采用GF的12nmFinFET工艺制造，采用3D的Arm网状互连技术，允许数据更直接地通往其他内核，最大限度地减少延迟，最终，这可以降低数据中心、边缘计算和高端消费者应用程序的延迟和更高的数据传输速度。
格罗方德表示他们的方法可以在每平方毫米上实现多达100万个3D连接，使其具有高度可扩展性，并有望延长12nm工艺的寿命。其3D封装解决方案（F2F）不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器集成的途径，而且可以使用最佳生产节点制造，从而实现更低的延迟、更高的带宽和更小的特征尺寸。
由于12nm工艺更加稳定，因此目前在3D空间上开发芯片更容易，而不必担心新7nm工艺可能带来的所有问题。然而，台积电，三星和英特尔能够在比格罗方德小得多的节点上开发3D芯片只是时间问题。
晶振的启动时间，通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长，可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC（Real-Time Clock，实时时钟）芯片作为一种独立的专用计时器件，其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳，为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器（MCU）稳定运行的核心，而晶振作为关键时钟源，主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度，系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振（Oven Controlled Crystal Oscillator，简称OCXO）是高精度频率源的核心组件，选用切型更优（如SC切、AT切高精度型）、封装应力极小的高Q值晶片，通过恒温槽的超精密控温，让晶振始终工作在零温度系数点，几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰（即高次谐波辐射）是电磁兼容（EMC）设计中非常棘手的问题，通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波（如125MHz、175MHz等）处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分，若PCB布局不当，晶振及其走线极易构成高效辐射天线，导致电磁干扰增强。
