发布时间：2021-08-12 阅读量：1685 来源: 我爱方案网 作者: 泰克科技
作者：泰克科技技术大咖Joseph Gorley
我记得自己担任高级项目经理那会儿，面对一个新产品开发环境，各个团队都压力山大，要为关键应用迅速推出优质产品，因此生命周期测试成为必须。如果一项测试半夜里无声无息中断了，那绝对让人深恶痛绝，因为它不仅浪费了我们宝贵的时间，还浪费了我们的测试装备。我花了无数个小时，通过图表理解数据。当时我想，如果能远程管理数据，那么我们得省多少时间省多少钱啊，但这只能是美好的想象。没办法，我们腾不出空闲装备，只能不断把数据倒到Excel中查看趋势，只能不断劝说技术人员在周末和节假日一直待命。
吉时利和Initial State（均为泰克科技旗下公司）携手研制出市场上唯一的图形DAQ和DMM：Keithley DAQ6510和DMM6500，解决了这些问题。通过集成Initial State的云服务，您现在可以在全球传送数据，创建实时的可以简便配置的仪表板，创建触发/告警，把实时数据嵌入到任何网站中。所有这些功能不用电脑就能实现，只要您的DAQ/DMM和信宿设备(如手机或平板电脑)联网就可以了。您和您的团队可以减少在实验室中花费的时间，跳过Excel电子表格项目，减少完成项目所需的加班时间。
这个解决方案对日常工作有什么影响？
数据传送功能让用户能够远程监测流程，不再局限于实验室现场办公。在监测长时间运行的测试时，比如环境测试或HALT(高加速测试)时，这改变了游戏规则。
通过即时仪表板，把原始数据转换成实用信息，提高了决策速度，改善了效率，因为不再需要通过软件处理数据。想象一下，您现在可以整晚远程检查生产设备的状态，确保其保持在预置的阈值范围内。
创建触发功能允许用户定义极限或阈值。一旦超限，可以通过文本和电子邮件生成告警。即使实验室人员在吃晚饭，这种功能也会通知他某个关键特点（比如温度）超出了临界极限，从而节省时间和设备。
使用一行代码把数据嵌入到任何网站中。您可以安全地存储或与同事或合作伙伴分享数据。您可以在本地网站的主页上创建一个即时仪表板，创建“一个真实的来源”和一致的报告。这也是一种与远程销售或客户在全球范围内共享信息的简单方法。
固件版本为1.7.3C或以上的DMM6500和DAQ6510可免费试用14天。如果您的版本较老，那么您需要下载最新版本，一旦检验和/或更新版本后，您可以把Upload Script(上传脚本)加截至Internal Scripts(内部脚本)区域，升级应用。然后您可以签约Initial State服务，开始传送数据。
在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中，低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统，却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战，设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证（AEC-Q101） E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列，正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能，助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。
在当今高速成像应用中，如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实（AR/VR/MR）和条码扫描，传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心，会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体，具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数（如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等）以及高级功能（如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择），因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。
安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET，构建出高性能共源共栅（cascode）结构，攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻（RDS(on)）与卓越热性能，以及Si MOSFET的易控常关特性，为大电流应用（如固态断路器、高功率开关系统）和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。
IR:6红外芯片通过实质性的技术创新，显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能（亮度、效率和图像质量）。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现，特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。
工业设备加速迈向电动化，对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械，充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入（120-480 Vac），并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中，功率因数校正（PFC）级的拓扑选择至关重要，它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战，重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案，并探讨碳化硅（SiC）MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案，为工程师提供清晰的设计指导。
