PCIM Asia 国际研讨会电力电子演讲精彩抢先看

发布时间:2021-08-17 阅读量:1380 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理

40.png


PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会是亚洲电力电子界最具影响力的展会之一,同期举办的PCIM Asia国际研讨会也是一场备受业界关注的专业学术会议。每年研讨会云集来自电力电子领域的专家学者,共同分享对市场发展和技术的看法。


PCIM Asia 2021国际研讨会将于9月9日至11日在深圳国际会展中心举行,届时现场将呈现多篇学术演讲,其中包括3场主题演讲,1场特邀专题报告和1场专题讲座。其中43篇论文为首次发表,包含22篇口述演讲及20篇墙报演讲。今年的研讨会以“交通系统电气化”为亮点议题。


同时,今年的PCIM Asia将新设由西安交通大学刘进军教授及同济大学吴志红教授围绕“电网技术”及“电动交通”为题主持的中文专场。同时,新增的Best of PCIM Europe Digital Days 2021报告环节,将于纽伦堡举行的PCIM Europe国际研讨会精挑报告带到深圳,方便行业人士获取精华讯息。


41.png


本届研讨会特邀报告


Tutorial专题讲座

题目:开关电源高频下磁元件的机会与对策

时间:2021-9-10

演讲人:陈为,教授&博士

福州大学,中国

概述:磁性元件技术对功率变换器的各项指标都有关键影响,随着变换器工作频率的不断提高,磁元件技术的重要性日显突出。报告将介绍高频功率电磁技术的研究内容、主要技术瓶颈、对策以及技术和产品的发展趋势,包括磁芯损耗,绕组损耗,电磁干扰,平面化和集成化磁性元件以及功能参数测试等方面。


Keynote主题演讲

(一)题目:华为数字能源十大技术趋势

时间:2021-9-9

演讲人:张晓飞,博士

华为数字能源,中国

概述:在拥抱变革的语境下,能源产业前行路上如何才能少走弯路,乃至避免南辕北辙?找准技术方向是关键。基于在数字和能源两大领域的持续深耕、技术创新和深厚积累,华为数字能源技术领域瞄准了十大技术趋势:“CDE的极致要求”“100%新能源并网”“极速、自由‘无感’充电”“第三代半导体加速替代硅器件”“安全的储能系统”“配电电力电子化”“EV多融合”“热管理智能化”“AI不可获取”“综合智慧能源”,这“十大趋势”涉及到能源领域转型升级的方方面面,将会引领数字能源的技术新格局。


(二)题目:双栅结构中SiCFET的电路保护

时间:2021-9-10

演讲人:Anup Bhalla,V.P.Engineering

United Silicon Carbide Inc.,美国

概述:Interest in solid state circuit breakers and solid state power controllers has grown rapidly in recent years. SiC JFETs have long been considered ideal devices for this application, given their ability to have lowon-state resistance, without compromising their ability to limit current when needed. We examine the use of normally-off SiC FETs in a dual gate configuration to simplify the development of high current circuit breakers.


(三)题目:数据中心系统节能解决方案的挑战和最新进展

时间:2021-9-11

演讲人:章进法,博士

台达电子,中国

概述:随着数字化转型和数据服务的需求持续增加,数据中心对电力的需求持续提升,电力消耗的费用也已成为系统运营的主要成本。因此,如何提高电能使用效率和系统整体电能转换效率已成为数据中心设计的重要驱动力。报告将探讨数据中心从系统电源架构到机架电源架构的节能解决方案,以及主板高效率和高密度电源解决方案所面临的挑战和最新的技术进展。


42.png


Best of PCIM Europe Digital Days 2021题目

All SiC Module with 1700V Rated 2nd Generation Trench Gate SiC-MOSFETs

Comparison of Three Methods Gate Bias Reduction, Series Ballast Resistor and BaSIC(EMM) to Improve Short Circuit Capability of 1.2kV SiC Power MOSFETs

Enhancement of Switching Performance and Output Power Density in 3.3kV Full SiC Power Module

Active Short Circuit Capability of Half-Bridge Power Modules Towards E-Mobility Applications

Measures to Improve Efficiency, Peak Power Density and Current Density in an Automotive SiC Drive Train Inverter–Sensitivity Analysis of Design Parameters

Evaluation of Quasi 2-level Modulation for MV Applications

New Multi-Level Multiplexed Power Converter Topology for Medium-Voltage Power Drives

Ideal Flyback Topology


43.png


回顾PCIM Asia2020国际研讨会


上届PCIM Asia国际研讨会共吸引298名现场听众和144名线上听众参与,以演讲或墙报陈述形式共发表61篇学术论文。焦点议题涵盖电力电子领域的热点话题、前沿技术、最新科研成果和行业发展前景。


44.png


PCIM Asia国际研讨会汇聚世界各地的行业人士积极参与。上届研讨会迎来67名演讲者,分别来自德国、韩国、加拿大、美国、日本、瑞士、台湾、希腊、英国、中国等国家和地区。其中39名演讲者来自ABBPowerGrids、AnalogDevices、中车集团、台达电子、富士电机、英飞凌、三菱电机、赛米控、安森美半导体和PowerIntegrations等企业,其余28名演讲者分别来自清华大学、谢菲尔德大学、大阪大学、多伦多大学、塞萨洛尼基亚里斯多德大学和上海大学等学术机构。


45.png


本届PCIM Asia将首次在深圳国际会展中心举行,由广州光亚法兰克福展览有限公司、上海浦东国际展览公司和德国美赛高法兰克福展览有限公司联合举办。


扫码报名,保留参会席位!


46.png


组团参会,请直接联系PCIM Asia会务组:

Zoey Lin 林小姐

电话:+862038251558ext246

zoey.lin@china.messefrankfurt.com

www.pcimasia-expo.com.cn


220x90
相关资讯
晶振启动时间影响因素解析与优化方向

​晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。

解析RTC实时时钟芯片的工作原理

RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。

无源晶振与有源晶振在MCU应用中的关联逻辑与选型指南

时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。

VC-OCXO压控恒温晶振管脚功能定义解析

恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。

晶振倍频干扰解决方案:从PCB布局优化到源头抑制与电路整改

晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。