SCM(Storage Class Memory)是什么?NVMe SCM将大幅提高计算机存储速度!

发布时间:2021-08-24 阅读量:3339 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理

简介


但如今由DRAM、SCM、SSD所构成的新分层储存架构,将在兼具成本效益下,进一步改善系统性能。由SCM及DRAM架构出的统一寻址空间,等同于扩大伺服器的缓存规模。还有高速、低延迟等特性,也相当完美的符合诸如5G通讯等技术需求,NVMeSCM因此成为催生新兴科技的关键。新兴科技共识所以将NVMeSCM纳入系统可以说已成为趋势,令许多厂商趋之若鹜。伺服器市场已被快速改变,由扩展规模转为追求低延迟,全快闪的产品出货已压过混合阵列。


储存级记忆体(StorageClassMemory,SCM)概念虽然早在2008年就已被IBM等厂商提出,但2019年才可说是SCM元年。


储存级记忆体SCM是一种介于DRAM与NANDFlash之间的技术概念。应用上大致可分为储存及记忆体两种形式。是作为底层储存装置,或混合SSD使用,另一种则用于辅助DRAM来提供加速存取的效果。简单来讲,SCM就是DRAM与SSD的中介,一种高速读写的非挥发性记忆体技术,用来改善系统整体I/O效能。


在理想中,它是一种速度能与DRAM媲美,但成本逼近传统硬盘的新型储存技术。当然目前大概只有读取速度能与DRAM比肩,写入速度仍有差距,且在SSD的单位成本已逼近传统硬盘的境况下,SCM还没有足够的性价比做为底层储存装置。


且实际上,还有诸多被指望成为SCM的技术尚未决出胜负,包括相变化记忆体(PCM)、磁性记忆体(MRAM)、电阻式记忆体(RRAM)等,但达到商品化的,目前市面上仅有少数大厂如英特尔与美光合作的3DXPoint及三星的Z-NAND技术。


SCM弥补落差


而这些技术的目标及潜力都在于能弭平DRAM与SSD读写速度的鸿沟。理论上,现代资讯系统由于内装置性能的落差徒增不少功耗,资料往返所耗费的时间,成为整体性能的短板,所以在处理器与记忆体之间设有暂存器及快取等,而引入SCM做为记忆体缓冲或SSD快取,也都是为了解决这样的问题。


35.png


当然记忆体内处理(In-memoryComputing)才是更理想的方案,其将储存设备间资料交换与运算的过程,改成直接从记忆体存取资料,和以传统硬盘构成的资料储存架构相比,能更快速地回传结果,特别适合需要大量即时资料分析的应用环境,而SCM的问世朝此迈出了相当大的一步。


当然SCM离完全取代SSD仍需一段时日,不过已先重燃了分层储存架构应用。近年来在SSD成本越来越低的情况下,原先自动分层储存技术(Auto-Tiering)所提供的效能就不再那么引人关注。但如今由DRAM、SCM、SSD所构成的新分层储存架构,将在兼具成本效益下,进一步改善系统性能。


由SCM及DRAM架构出的统一寻址空间,等同于扩大伺服器的缓存规模。尤其是在SCM结合SSD标准NVMExpress(NVMe)后,能更进一步降低延迟。所以除了硬件进展之外,NVMe的发展也备受瞩目。在2017年英特尔所推出的NVMeSCM产品获得相当大的成功。基于与晶片组及处理器直接点对点传输的PCIe介面的NVMe,可说是现今要发挥SCM概念的必然设计。


NVMe形成生态


且NVMe早已不仅仅是单纯的逻辑装置介面标准,更逐渐扩展成一套生态系统,细分出了NVMe-MI(NVMeManagementInterface)以及NVMe-oF(NVMeoverFabrics)等协定。


36.png


其中NVMe作为主要标准,规范了Host对储存装置的读写、存取以及资源管理等功能,而NVMe-MI则能透过SMBus/I2C及MCTP等进行带外管理。NVMe-oF则是一种基于NVMe的网路协定,支援如FC(FibreChannel)、RoCE(RDMAoverConvergedEthernet)、iWARP(InternetWide-areaRDMAProtocol)与InfiniBand等网路环境,展现出应用在更广泛系统的潜力。


使用NVMe-oF架构,将能替分散式系统带来更低延迟,扩大记忆体内处理,且NVMe不仅仅是逻辑上的协议接口,更是一种可扩充指令标准。这些技术特点受到机器学习(MachineLearning)工程师的青睐,以之建构出更高性能、更深入的神经网路。在机器学习的过程中,计算处理和储存之间需要反覆的交换大量数据,且对延迟的要求也非常高。


甚至可以说,机器学习应用是现在NVMeSCM最能展现成本效益的方式。对AI加速器的需求,带动了对新兴记忆体的研究。尤其在现今GPU计算力发展遥遥领先之下,其他零组件的协调性成为新兴科技发展的短板。还有高速、低延迟等特性,也相当完美的符合诸如5G通讯等技术需求,NVMeSCM因此成为催生新兴科技的关键。


新兴科技共识


所以将NVMeSCM纳入系统可以说已成为趋势,令许多厂商趋之若鹜。DellEMC、IBM、Hitachi、HPE、Fujitsu与华为等大厂近年来也都纷纷推出了相关的高阶企业储存解决方案。伺服器市场已被快速改变,由扩展规模转为追求低延迟,全快闪的产品出货已压过混合阵列。各家厂商甚至也借此推出了基于AI的云端化管理系统,透过NVMeSCM来有效减轻维运负担。


总而言之,NVMeSCM不仅是单一硬件产品的进步,更影响了大数据、人工智能、5G、云端生态等技术,促进了业界对于传输规范共识的同时,对现今的资讯系统架构带来变革。当此技术越趋于成熟,就能更快的催化出新兴科技。虽然还有一段相当长的路要走,但或可如此譬喻,NVMeSCM将会是记忆体的终局之战。


220x90
相关资讯
晶振启动时间影响因素解析与优化方向

​晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。

解析RTC实时时钟芯片的工作原理

RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。

无源晶振与有源晶振在MCU应用中的关联逻辑与选型指南

时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。

VC-OCXO压控恒温晶振管脚功能定义解析

恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。

晶振倍频干扰解决方案:从PCB布局优化到源头抑制与电路整改

晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。