发布时间：2021-08-31 阅读量：1120 来源: 我爱方案网整理 发布人: Viva
据外媒报道，5nm制程工艺量产已超过1年的台积电，正在全力推进3nm工艺的量产事宜，他们的3nm工艺计划在今年风险试产，明年下半年正式量产。
但外媒最新的报道显示，台积电3nm制程工艺的量产时间将推迟，最多推迟4个月。外媒在报道中还提到，台积电方面也已经确认，他们这一制程工艺的量产时间将推迟。
在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家均透露他们的3nm工艺进展良好。如果量产时间推迟，台积电的3nm制程工艺，可能就无法按计划在明年下半年量产。
台积电和三星电子目前均在推进3nm工艺的量产事宜，两大芯片代工商对这一制程工艺都非常重视。今年6月底，就有外媒在报道中称，三星电子寄予厚望的3nm芯片制程工艺，已经顺利流片。
但从外媒的报道来看，三星电子的3nm工艺，也遇到了难题。研究机构预计采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术的三星3nm制程工艺，不太可能在2023年之前量产。产业链方面的人士也透露，采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术的三星3nm制程工艺，在研发方面仍有挑战，还有关键技术问题尚未解决。
晶振的启动时间，通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长，可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC（Real-Time Clock，实时时钟）芯片作为一种独立的专用计时器件，其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳，为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器（MCU）稳定运行的核心，而晶振作为关键时钟源，主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度，系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振（Oven Controlled Crystal Oscillator，简称OCXO）是高精度频率源的核心组件，选用切型更优（如SC切、AT切高精度型）、封装应力极小的高Q值晶片，通过恒温槽的超精密控温，让晶振始终工作在零温度系数点，几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰（即高次谐波辐射）是电磁兼容（EMC）设计中非常棘手的问题，通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波（如125MHz、175MHz等）处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分，若PCB布局不当，晶振及其走线极易构成高效辐射天线，导致电磁干扰增强。
