发布时间：2021-09-7 阅读量：891 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
据外媒报道，ARM即将推出的全新下一代CPU，代号为“Hercules”的芯片将采用三星最新的5nmLPE工艺，预计最快将于2020年登场。
高通，三星，华为等移动SoC设计公司可以利用这些工具和IP（中断优先寄存器）开发下一代处理器，以用于未来的智能手机和平板电脑。
据悉，Synopsys（新思科技）的设计工具FusionDesignPlatform和QuickStartImplementationKit已通过三星（SamsungFoundry）的5nmLPE工艺认证，在有效的降低设计功耗的同时，还提升了性能。
外媒表示，三星改进的技术将使逻辑效率提高多达25％，并且能让SoC设计公司将其芯片组的功耗降低20％，同时提供更强的性能。ARM、新思科技和三星之间的合作将使智能手机芯片制造商以及普通消费者能够用上更高效的SoC，从而驱动未来更强大的移动设备。
目前ARM的Hercules和三星的5nmLPE都处于行业领先标准，除了在智能手机中使用外，未来在汽车、5G和AI等领域也大有可为。
晶振的启动时间，通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长，可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC（Real-Time Clock，实时时钟）芯片作为一种独立的专用计时器件，其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳，为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器（MCU）稳定运行的核心，而晶振作为关键时钟源，主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度，系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振（Oven Controlled Crystal Oscillator，简称OCXO）是高精度频率源的核心组件，选用切型更优（如SC切、AT切高精度型）、封装应力极小的高Q值晶片，通过恒温槽的超精密控温，让晶振始终工作在零温度系数点，几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰（即高次谐波辐射）是电磁兼容（EMC）设计中非常棘手的问题，通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波（如125MHz、175MHz等）处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分，若PCB布局不当，晶振及其走线极易构成高效辐射天线，导致电磁干扰增强。
