如何解决MCU上下电问题？

对于需要进行掉电保存或掉电报警功能的产品，利用大容量电容的储能作用，为保存数据和系统关闭提供时间，往往是很多工程师的选择。而在不需要掉电保存数据的系统中，为了抑制电源纹波、电源干扰和负载变化，在电源端也会并接一个适当容量的电容。

然而电路中电容并不是越大越好，由于电容的储能作用，大容量的电容则可能延长系统地上电时间和下电时间，而上下电时间的延长，则容易导致MCU启动失败或进入栓锁状态，因此缩短MCU电源的上电和放电时间就显得尤为重要。针对单电源的系统，ZLG推出了带EN控制和内嵌快速放电功能的LDO:ZL6205，来为您的系统助力。

图1 ZL6205

1.巧用EN，缩短上电时间

众所周知，满足MCU的上电时序，是系统设计最基本最重要的要求之一，因此仔细研读芯片的上下电时序是非常有必要的。如下图2所示为某系列MCU对上电时间的要求。

图2 上电要求

由上图可知该MCU对上电的主要要求有：

·上电时间tr不能超过为500ms；

·上电前的电压VI需要低于200mV至少12us。

这就要求尽可能地缩短上电时间，特别是电路中存在大电容或者超级电容时，上电时间过长容易导致系统无法启动或者器件闩锁的问题。

缩短上电时间，一种简单的方法莫过于控制电源芯片的EN引脚。巧用EN引脚的分压电阻就能够很好地缩短系统的上电时间。很多人在使用电源芯片时一般都是外部上拉来默认使能，而过早地达到使能阈值，输出就会跟随输入，即输入有多慢输出就有多慢，且上电时输入端的抖动也会传送给输出。如下图3所示为设置EN直接上拉和采用分压电路时的输出曲线示意图。

图3 EN上拉至输入和采用分压电路时的输出曲线

·曲线①，使能上拉至输入，此时输出上升时间长且会受到输入波动的影响；

·曲线②，合理采用分压电阻，当VIN上升到70%~80%的时候，再使EN的电压到达使能阈值，此时输出上升边沿陡峭，输出平稳，摒除了输入电源的不稳定阶段，减小了输入电压波动的影响。同时预留了20%~30%的余量，避免电源波动导致输出关闭。此时的上电对于MCU来说才是干净利落的！

图4 ZL6205典型应用电路

解决了上电问题还不够？还有下电问题？别急，ZL6205还内嵌了快速放电电路，提升系统下电速度。