发布时间：2021-10-11 阅读量：682 来源: 第三代半导体产业发展高峰论坛 发布人: Viva
第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域（0-900V）率先商用，替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片，如若该技术商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。
新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域，如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。
目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。
氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策？
氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率？
碳化硅良率提升问题如何解决？
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同期峰会预告：
2021第四届“5G&半导体产业技术高峰会
时间：2021年12月8下午13:30-17:30日 地点：深圳国际会展中心（宝安）
在2025上海国际车展上，作为中国高端互连解决方案领军企业的中航光电（股票代码：002179），以整车电子电气架构革新者的姿态，携五大核心技术体系亮相，构建起覆盖"车-路-云"全场景的智能出行技术生态。
在智能汽车传感器领域，国产化突破迎来里程碑时刻——移远通信最新发布的77GHz毫米波雷达RD7702AC，以毫米级动作捕捉、多场景抗干扰和全链路国产化优势，率先打破外资品牌垄断格局。作为全球首款集成AR增强现实的脚踢雷达方案，该产品不仅将误触发率压降至0.1%以下，更通过岸达科技国产芯片组实现30%成本优化，同步拓展至舱内活体检测、侧门防撞等智能驾驶场景。在国产替代浪潮与4D成像雷达技术迭代的双重驱动下，这款"中国芯"传感器正加速重构车载感知市场格局，为智能汽车产业链自主可控提供关键支点。
意法半导体（ST）推出的IIS2DULPX工业级三轴MEMS加速度计，凭借其边缘智能、超低功耗与宽温域特性，正在成为工业自动化与资产监测领域的核心组件。本文将从技术优势、竞品对比、应用场景及国产替代潜力等维度，解析其如何突破传统传感器瓶颈，推动工业智能化升级。
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全球电子代工龙头广达电脑（2382.TW）在成立37周年庆典上释放重磅产业信号。董事长林百里向《经济日报》披露，企业已锁定美系四大云服务商（CSP）今明两年持续增长订单，并宣布启动"自主型研发"战略转型，剑指AI服务器千亿级市场制高点。
