发布时间：2021-10-11 阅读量：708 来源: 第三代半导体产业发展高峰论坛 发布人: Viva
第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域（0-900V）率先商用，替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片，如若该技术商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。
新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域，如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。
目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。
氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策？
氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率？
碳化硅良率提升问题如何解决？
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同期峰会预告：
2021第四届“5G&半导体产业技术高峰会
时间：2021年12月8下午13:30-17:30日 地点：深圳国际会展中心（宝安）
据多方可靠消息源（包括知名爆料人Kopite7kimi和MEGAsizeGPU）持续披露，为应对特定市场出口合规要求，英伟达（NVIDIA）正为其下一代旗舰显卡GeForce RTX 5090系列开发专供中国市场的型号，命名为GeForce RTX 5090 DD，旨在取代之前计划的RTX 5090 D型号。最新信息揭示了该型号相较于全球版的主要规格调整与市场定位策略。
随着新能源汽车智能化程度提升，2025年车载电子系统对信号隔离器件提出更严苛要求。在电机控制、BMS等高压场景中，数字隔离器需同时解决安全隔离、抗噪能力及实时通信三大核心需求。东芝电子最新推出的DCM32xx00系列双通道数字隔离器，正是针对这些技术痛点开发的标杆级解决方案。
当技术创新从实验室迈向市场，“最后一公里”的精准对接成为破局关键。今日，由博闻创意会展打造的华南电子产业旗舰盛会——elexcon深圳国际电子展暨嵌入式展（2025.8.26-28） 全球预约通道正式开启！作为华南唯一覆盖电子全产业链的标杆平台，展会依托深圳雄厚的产业集群禀赋，深度打通电子与嵌入式技术双动脉。在这里，400+前沿技术展商将与30,000+全球专业买家、工程师、决策者零距离互动，共同探索AI智能化与绿色双碳大潮下的技术路线与商业前景。深圳高效的产业链，正通过elexcon这座桥梁，迸发出强大的产业对接动能，加速国产技术融入全球价值链。
摩根士丹利（Morgan Stanley，简称“大摩”）最新发布的研究报告描绘了中国机器人产业极具活力的增长前景。报告核心结论指出，中国机器人市场正经历前所未有的高速扩张，预计在未来四年内，其整体市场规模将实现翻倍增长，从2024年的约470亿美元跃升至2028年的1080亿美元，年均复合增长率高达23%。这一强劲增势将无可争议地巩固中国在全球机器人领域的绝对领先地位。数据显示，2024年中国已占据全球机器人市场约40%的份额。
全球高端电视市场格局正经历深刻变革。Counterpoint Research最新报告显示，2025年第一季度全球高端电视出货量同比大幅攀升44%，行业收入同步增长35%。中国品牌展现了强大竞争力，特别是TCL和海信表现亮眼，两大品牌出货量均实现三位数同比增长，引领全球市场进入发展新阶段。
