发布时间：2021-10-15 阅读量：1315 来源: 泰克科技 发布人: Cole
中国北京2021年10月15日，电源纹波是电源品质的重要指标之一，除了工程师外，普通用户也会关心纹波的大小。通常在实验室中示波器被用来测量电源纹波，但是具体操作流程存在随意性大，可复现性低等问题。泰克针对工程师在电源纹波测试中存在的种种问题，特别开设推出【电源纹波测试，从入门到精通】，通过八节视频课程，逐渐深入探讨工作中遇到的细节困扰。
随着集成电路的发展进步，用电设备的电源电压越来越低。例如目前主流微处理器的供电电压已经低至1V左右，用于移动设备的LP-DDR系列存储器，供电电压最高也不超过1.8V。这些非常接近硅阈值电压的用电设备，对电源的品质也提出了越来越高的需求。
除了电源工程师会关注电源品质外，普通用户在经受低质量电源困扰之后，也会通过不同手段来关注、改善电源的质量。例如在高保真（Hi-Fi）音响爱好者圈子里，就流传着“火电力度大，水电解析力高，雅鲁藏布江的水电效果好”等段子。更不乏为了改善电源质量，花重金购买一根昂贵的电源线材。Hi-Fi爱好者的部分观点和行为虽然缺乏足够的科学依据，但也从一个侧面可以反映出电源对用电设备的影响是举足轻重的。
课程中以一个常见的Raspberry Pi Pico开发板的电源模块为例，介绍电源纹波测量的基本流程。Raspberry Pi Pico是一个小巧实用的MCU板子，供电由一颗来自RICHTEK的RT6150B完成，输出电压是3.3V。RT6150B是一个Buck-Boost转换器，因此输入电压既可以高于也可以低于3.3V。板子的供电来自USB接口的5V，实现的是降压转换。值得注意的是，RT6150B有一个PowerSaveMode（PSM）。当芯片的7脚（PS）拉低时，PSM启用，芯片工作在PFM模式，效率较高，但是纹波也较高。当PS拉高时，PSM禁用，芯片工作在PWM模式，轻载时效率降低，但是纹波也较低。
实际测量时，我们通过软件控制PS拉低或拉高，从而使供电模式在PFM和PWM之间切换，进而对比二者的差异。测量点位方面，供电输出处有一颗电容C2，我们可以测量C2两端的电压来测量纹波。
【从入门到精通，电源纹波测试视频课堂】8节视频课堂将陆续上线，通过泰克科技官网、泰克科技视频号、优酷视频Tektronixchina、我爱方案网微信公众号都可以免费获取视频课程。
视频1：电源纹波测量为什么重要？
视频2：树莓派pico的电源设计怎么样？
视频3：拍一拍MSO6B，怼电源之旅走起
视频4：测量电源纹波的坑，你掉进去过吗？
视频5：学校示波器PK泰克MSO6B
视频6：示波器变身，频谱仪
视频7：用TIAFE看模电供电电路有什么讲究
视频8：六通道输入观测PC机电源开关时序
在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中，低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统，却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战，设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证（AEC-Q101） E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列，正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能，助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。
在当今高速成像应用中，如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实（AR/VR/MR）和条码扫描，传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心，会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体，具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数（如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等）以及高级功能（如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择），因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。
安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET，构建出高性能共源共栅（cascode）结构，攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻（RDS(on)）与卓越热性能，以及Si MOSFET的易控常关特性，为大电流应用（如固态断路器、高功率开关系统）和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。
IR:6红外芯片通过实质性的技术创新，显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能（亮度、效率和图像质量）。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现，特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。
工业设备加速迈向电动化，对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械，充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入（120-480 Vac），并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中，功率因数校正（PFC）级的拓扑选择至关重要，它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战，重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案，并探讨碳化硅（SiC）MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案，为工程师提供清晰的设计指导。
