PoE芯片缺货到明年?都有哪些能替代!

发布时间:2021-11-22 阅读量:1077 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网汇编

随着网络中IP电话、网络视频监控以及无线以太网设备的日益广泛,通过以太网本身提供电力支持的要求也越来越迫切。多数情况下,终端设备需要直流供电,而终端设备通常安装在距离地面比较高的天花板或室外,附近很难有合适的电源插座,即使有插座,终端设备需要的交直流转换器也难有位置安置。另外,在很多大型的局域网应用中,管理员同时需要管理多个终端设备,这些设备需要统一的供电和统一的管理,由于供电位置的限制,给供电管理带来极大的不便,以太网供电PoE则正好解决了这个问题。


什么是POE技术?


PoE(Power Over Ethernet)指的是在现有的以太网Cat.5布线基础架构不作任何改动的情况下,在为一些基于IP的终端(如IP电话机、无线局域网接入点AP、网络摄像机等)传输数据信号的同时,还能为此类设备提供直流供电的技术。


20.jpg


POE也被称为基于局域网的供电系统(POL,Power over LAN)或有源以太网(Active Ethernet),有时也被简称为以太网供电,这是利用现存标准以太网传输电缆的同时传送数据和电功率的最新标准规范,并保持了与现存以太网系统和用户的兼容性。


PoE供电具有可靠、连接简捷、标准统一的优势:


可靠:一台PoE设备可以同时为多个终端设备供电,实现电源集中供电的同时,还可以进行电源备份。

连接简捷:终端设备不需外接电源,只需要一根网线。

标准:符合国际标准,使用全球统一的RJ45电源接口,可保证与不同厂商的设备对接。


PoE是如何工作的?


一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE,Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD,Power Device)两部分。



21.jpg


PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备,同时也是整个POE以太网供电过程的管理者;而PD设备是接受供电的PSE负载,即POE系统的客户端设备,如IP电话、网络安全摄像机、AP及掌上电脑(PDA)或移动电话充电器等许多其他以太网设备(实际上,任何功率不超过13W的设备都可以从RJ45插座获取相应的电力)。两者基于IEEE 802.3af标准建立有关受电端设备PD的连接情况、设备类型、功耗级别等方面的信息联系,并以此为根据PSE通过以太网向PD供电。


产品应用场景:


22.jpg


应用在通过POE技术供电来的各种设备系统。由于能借由以太网获得供电的电子设备无需额外的电源插座就可使用,所以同时能省去配置电源线的时间与金钱,使整个装置系统的成本相对降低。


POE无线AP的应用

POE远程监控的应用

POE智能终端的应用


23.jpg


PoE市场概况


根据以太网供电市场调查数据以及对2016-2022年的市场预测情况显示,截止到2022年底,全球PoE市场的年复合增长率(CAGR)预计将增长13%,合计约占市场总份额的10亿美金。从全球不同地区参与的程度来看,北美目前占据主导地位,其次是欧洲以及亚太地区。


24.jpg

图片来源:飞速(FS)


PSE主要玩家和主推型号


25.png


PD主要玩家和主推型号


26.png


结语


现如今,PoE技术已经被广泛运用于安防监控等行业中,以PoE技术为依托的PoE交换机更是受到热捧,相信在不久的将来PoE技术会得到更大的发展和突破。同时,PoE技术由于其易安装、易管理、简便性、安全性、稳定性、可扩展性和利旧原则,在家庭应用、无线建网、安全防护、建筑物管理、RFID等领域,都具有巨大的应用前景。


就未来发展趋势而言,供电功率会越来越大,支持的终端设备也会越来越多,因而对POE设备的效率要求也会越来越高。


相关资讯
革新辅助电源设计:1700V SiC MOSFET赋能20-200W高效系统​

在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中,低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统,却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战,设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证(AEC-Q101) E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列,正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能,助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。

安森美Hyperlux SG:攻克全局快门三大痛点 (高性能、高效率、低功耗)​

在当今高速成像应用中,如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实(AR/VR/MR)和条码扫描,传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心,会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体,具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数(如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等)以及高级功能(如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择),因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。

常关型SiC Combo JFET结构

安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET,构建出高性能共源共栅(cascode)结构,攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻(RDS(on))与卓越热性能,以及Si MOSFET的易控常关特性,为大电流应用(如固态断路器、高功率开关系统)和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。

920nm问世+低红曝优选:IR:6技术精准匹配多元红外应用场景

IR:6红外芯片通过实质性的技术创新,显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能(亮度、效率和图像质量)。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现,特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。

工业电动化浪潮:充电器设计的效率与尺寸挑战

工业设备加速迈向电动化,对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械,充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入(120-480 Vac),并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中,功率因数校正(PFC)级的拓扑选择至关重要,它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战,重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案,并探讨碳化硅(SiC)MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案,为工程师提供清晰的设计指导。