不同工艺技术的MMIC性能对比

早期的MMIC主要采用化合物半导体工艺，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。化合物半导体具有大的禁带宽度、高的电子迁移率和击穿场强等优点，但缺点是集成度不高且价格昂贵。所以，近十几年来低成本、集成度高的硅基（CMOS、SiGe BiCMOS等）MMIC发展迅速。

目前大多数毫米波雷达前端MMIC基于SiGe BiCMOS技术，SiGe高频特性良好，材料安全性佳，导热性好，而且制程成熟，整合度较高，成本较低的优势。不过SiGe MMIC大都是分立式的，即发射器、接收器和处理组件均为独立单元，这使得其设计过程十分复杂，并且整体方案体积庞大。

一辆自动驾驶汽车最终需要有10多个雷达传感器，如果采用SiGe传感器，空间上的限制使得其“难堪重任”。所以，成本更低、产业链更成熟的CMOS工艺将成为“中意”的选择。利用CMOS工艺，不仅可将MMIC做得更小，甚至可以与微控制单元（MCU）和数字信号处理（DSP）集成在一起，实现更高的集成度。所以这不仅能显著地降低系统尺寸、功率和成本，还能嵌入更多的功能。虽然CMOS雷达面临速度和低频噪声等问题，随着深亚微米和纳米工艺的不断发展，硅基工艺特征尺寸不断减小，栅长的缩短弥补了电子迁移率的不足，从而使得晶体管的截止频率和最大振荡频率不断提高，这使得CMOS工艺在毫米波雷达应用方面不断地取得突破。

例如，恩智浦（NXP）和德州仪器（TI）陆续推出了基于CMOS工艺的毫米波雷达芯片，其中NXP率先将MCU集成进入了其RF CMOS收发器中。在今年德州仪器（TI）宣称其集成前端MMIC、DSP和MCU单芯片雷达解决方案（AWR1642）已实现了大规模量产，相比于传统的24GHz方案，其外形尺寸缩小33%、功耗减少50%、范围精度提高10倍以上，且整体方案成本更低。

推荐阅读：

微波天线有点简介

毫米波雷达技术的发展趋势

逆变器内部对漏电流的处理方式分偏软件处理和偏硬件处理

关于EMC与漏电流之间的关系阐述

高频漏电的处理及保护方法简介