低寄生效应的清洁MOSFET开关功能简述

发布时间:2021-12-27 阅读量:1779 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理

如下图所示为功率级PCB设计中由元件引线和非优化布局引起的寄生电感和电容。这些PCB寄生效应会导致电压振铃,从而导致MOSFET上的电压应力。


低寄生效应的清洁MOSFET开关功能简述

功率级半桥中的寄生电感和电容。


振铃的原因之一是二极管反向恢复。由快速开关引起的高电流变化率可能导致高二极管反向恢复电流。反向恢复电流流经寄生布局电感。由FET电容和寄生电感形成的谐振网络引起相位节点振铃,减少了电压裕度并增加了器件的应力。如图所示为由于电路寄生效应引起的具有分立MOSFET的相位节点电压振铃。


使用电源模块时,具有连接两个MOSFET的开关节点夹将高侧和低侧MOSFET之间的寄生电感保持在绝对最小值。在同一封装中使用低侧和高侧FET可最大限度地减少PCB寄生,并减少相节点电压振铃。使用这些电源模块有助于确保平滑的驱动MOSFET开关,即使在电流高达50A时也不会出现电压过冲,如图所示。

  

低寄生效应的清洁MOSFET开关功能简述

具有分立MOSFET的相节点电压振铃和电压过冲


低寄生效应的清洁MOSFET开关功能简述

带有电源模块的清洁相位节点切换波形


低PCB损耗,PCB寄生电阻降低


功率块有助于减少PCB中高电流承载轨道的长度,从而减少轨道中的功率损耗。

让了解分立FET的PCB轨道要求。顶部和底部分立MOSFET之间的PCB轨道连接导致PCB中的I2R损耗。图5所示为将顶部和底部分立MOSFET并排连接时的铜轨道;这是可将电机绕组连轻松连接到PCB的常见布局之一。连接相位节点的铜面积的长度为宽度的两倍(轨道宽度取决于电流,轨道宽度通常受电路板的外形尺寸限制)。或者,可以上下排列顶侧和底侧分立MOSFET,保持在相位节点之间。但是由于需要提供将电机绕组连接到相位节点,可能无法减少轨道长度,并且这种布置可能不适合所有应用。

若设计的PCB铜厚度为2oz(70μm),则连接图5所示的相位节点的单层PCB轨道将具有约0.24mΩ的电阻。假设轨道存在于两个PCB平面中,则等效PCB电阻为0.12mΩ。对于三相功率级,有三个这样的PCB轨道。也可对直流电源输入和返回轨道进行类似的分析。


电源模块具有单个封装中的顶侧和底侧MOSFET,以及通过封装内的金属夹连接的相位节点,可优化寄生电阻,并为布局提供灵活性,并可节省最小的0.5至1mΩ的总PCB电阻。

 

低寄生效应的清洁MOSFET开关功能简述

具有分立MOSFET的典型相位节点轨道长度



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