发布时间：2021-12-27 阅读量：1514 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
CSD885x电源模块采用DualCool?封装，可在封装顶部实现散热，从而将热量从电路板上散开，提供出色的散热性能，并提高在5mm×6mm封装中的功率。根据数据手册规范，功率块具有1.1°C/W的结到底壳体热阻，和2.1°C/W的结到顶壳体的热阻。可优化功率块底壳的PCB或功率块的顶盖的散热片的冷却功能。图6所示为在1kW，36V三相逆变器PCB(36mm×50mm)内使用三个CSD88599Q5DC双冷60V电源模块测试的顶侧公共散热器(27mm×27mm×23mm)的结果，不带任何气流。在测试期间，散热器和功率块顶壳之间使用具有低热阻抗
具有分立MOSFET的典型相位节点轨道长度
显示有效顶侧冷却的电路板的热像
在图中，可看到顶侧冷却的有效性，其中PCB上观察到的最大温度(功率块底壳之下)与散热器温度之间的差异小于11°C。热量传导良好，并通过电源模块的顶部冷却金属焊盘分配到顶侧散热器。
顶侧和底侧FET之间的热量共享
在单相或三相逆变器中，顶侧和底侧MOSFET的损耗可能不同。这些损耗通常取决于脉宽调制拓扑的类型和工作占空比。不同的损耗导致顶侧和底侧MOSFET的加热不同。在系统设计中使用分立MOSFET时，可以尝试这些不同的方法来平衡顶侧和底侧FET之间的温度：
为MOSFET使用不同的冷却区域，并为具有更大损耗的MOSFET提供更多的PCB铜面积或散热器。
根据其额定电流，为顶侧和底侧的MOSFET使用不同的器件。例如，可使用具有较小导通状态导通电阻(R DS_ON)的器件，用于承载更多电流的MOSFET。
当MOSFET变热时，这些方法不会提供最佳冷却，这取决于工作占空比，导致PCB面积或MOSFET额定值利用不足。使用功率块MOSFET，其中顶侧和底侧MOSFET处于同一封装中，从而实现顶侧和底侧MOSFET之间的自动热共享，并提供更好的热性能和优化的系统性能。
系统成本低
可通过在设计中使用功率块MOSFET来优化系统成本。如果此博文中所述的所有优势均达成的话，即可降低成本：
一半的解决方案尺寸，大大降低PCB成本。
低寄生效应可实现更可靠的解决方案，其具有更长的寿命且维护少。
降低PCB轨道长度会降低PCB电阻，从而通过较小的散热器降低损耗，提高效率。
卓越的热性能可提高冷却效果。
MOSFET功率块有助于实现更可靠、更小尺寸、高效率和具有成本竞争力的系统解决方案。
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