发布时间：2022-01-7 阅读量：1280 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网整理
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。
在功率大于150 W的情况下，谐振式LLC转换器因能效高、开关电压应力有限而常被使用。该转换器的一个特点是驱动波形为50%的占空比，通过变频调节。因此，控制死区时间以保证不发生重叠至关重要。图3显示了NCP13992高性能LLC控制器的典型架构。这种设计可以在500 kHz的开关频率下工作，并且通常用于大功率游戏适配器和OLED电视、一体化电脑的嵌入式电源。
图：基于GaN的LLC转换器概览
安森美半导体NCP51820驱动器确保门极驱动不重叠，但这可视拓扑需要(如电流馈电转换器)而禁用。该器件还含一个使能输入和全面的保护，防止电源欠压和过温。它采用PQFN、4×4mm 的15引线封装，使短、低电感连接到GaN器件的门极。 布板考量 在所有应用中，布板是成功的关键。图4显示了一个采用安森美半导体的NCP51820的示例布板，微型化并匹配门驱动回路。GaN器件和驱动器被置于PCB同侧，通过适当地使用接地/返回面来避免大电流通孔。
图：GaN门极驱动电路的好的布板
对于GaN开关，需要仔细设计其门极驱动电路，以在实际应用中实现更高能效、功率密度及可靠性。此外，谨慎的布板，使用专用驱动器如安森美半导体的NCP51820，及针对高低边驱动器的一系列特性，确保GaN器件以最佳性能工作。
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