使用LTspice的FFT进行频率分析

发布时间:2022-02-24 阅读量:7015 来源: Macnica Engineer 发布人: xiating

在试着使用LTspice系列中,我们简单介绍了LTspice的用法。


在TRAN分析的一种基于时间轴的分析中,可以像示波器一样查看信号电平随时间的变化。


另一方面,当你想要查看一个信号的频率成分时,FET功能是很有用的,并且通过仿真你可以查看电路的失真和噪声成分。这次我来介绍一下这个FFT功能。


一、什么是FFT


FFT(Fast Fourier Transform)是指高速傅里叶变换,是一种在计算机上进行高速计算的算法。


SPICE可以像频谱分析仪那样展示信号的频率成分和电平(功率)。由于FFT功能是以TRAN分析(时间轴)所得到的数据为基础进行计算的,所以它是嵌入在WaveformViewer中的。


二、使用FFT功能


步骤


这次我们以一个由3个不同频率和幅值的正弦波合成的信号为例,用TRAN分析来查看其波形,并采用FET显示功能来确认其频率分布。


45.jpg


TRAN分析的结果如下图所示。


只看这个OUT端子的波形是无法知道频率成分和大小的。


46.jpg


所以让我们来尝试使用FFT显示功能。从菜单栏中选择View→FFT。


47.jpg


然后会弹出下图所示的对话框,通常选择“OK”。


48.jpg


FFT显示结果如下图所示。


我们得到了一个对数曲线,纵轴表示信号幅度(dB),横轴表示信号频率(Hz)。


峰值位于1kHz、3kHz、10kHz处,这样我们就能掌握波形的成分和大小。


49.jpg


三、FFT的使用要点


使用FFT功能时,建议设置".options plotwinsize=0"命令。这样可以防止分析的结果被压缩,并降低本底噪声。


另外,如果TRAN命令的"最大时间步长"短于一个信号周期的1/100,则可以得到良好的FFT结果。然而,更短的时间设定会带来更长的仿真时间,所以请根据需要来权衡调整。


当我没有在选项中设定plotwinsize,并以默认的最大时间步长来仿真时。即使是复合正弦波,也可以看到FET分析的结果中本底噪声的基底较大,并且在非预期的频率处也存在峰值。


50.jpg


四、用FFT观察电源IC的输出电压信号


之前在”试着使用LTspice-直流-直流转换器的动作确认”一文中已经观察了输出纹波电压的水平,这次我们用FFT功能查看其频率成分。以LT8640的Demo文件作为仿真电路,FFT分析需要稳定状态下的结果,因此在电源启动后需要确认纹波电压。


51.jpg


通过FFT分析,可以看到不仅包含1MHz的开关频率成分,还包含2倍、3倍甚至其他奇数倍的频率成分。


输出电压的纹波成分如下图所示。


52.jpg

53.jpg


电源电路的噪音会影响周边电路和EMI测试。可以通过仿真来研究一些噪声的对策,如滤波器设计等。请趁此机会尝试下FFT功能。


此次验证的LTspice演示文件FFT_Simulation__1.zip收藏了这次运行的2个仿真文件。


相关资讯
革新辅助电源设计:1700V SiC MOSFET赋能20-200W高效系统​

在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中,低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统,却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战,设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证(AEC-Q101) E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列,正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能,助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。

安森美Hyperlux SG:攻克全局快门三大痛点 (高性能、高效率、低功耗)​

在当今高速成像应用中,如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实(AR/VR/MR)和条码扫描,传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心,会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体,具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数(如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等)以及高级功能(如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择),因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。

常关型SiC Combo JFET结构

安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET,构建出高性能共源共栅(cascode)结构,攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻(RDS(on))与卓越热性能,以及Si MOSFET的易控常关特性,为大电流应用(如固态断路器、高功率开关系统)和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。

920nm问世+低红曝优选:IR:6技术精准匹配多元红外应用场景

IR:6红外芯片通过实质性的技术创新,显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能(亮度、效率和图像质量)。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现,特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。

工业电动化浪潮:充电器设计的效率与尺寸挑战

工业设备加速迈向电动化,对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械,充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入(120-480 Vac),并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中,功率因数校正(PFC)级的拓扑选择至关重要,它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战,重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案,并探讨碳化硅(SiC)MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案,为工程师提供清晰的设计指导。