发布时间:2022-02-28 阅读量:18540 来源: ADI 发布人: Cole
了解频率产生器件的性能特征对于为目标使用场景确定正确的解决方案至关重要。这是一个快速指南,旨在帮助RF系统工程师熟悉整个选择流程。
主要性能判据
我们首先定义表征频率产生器件性能通常使用的判据。选择流程一般从最基本的判据开始,那就是输出频率范围。为了生成整个频谱范围内的频率,人们设计了各种各样的器件,支持从单音到跨越多个倍频程的频率。然而,当根据输出频率选择器件时,必须注意到,宽带和高频能力常被用来交换其他基本特性,包括频率稳定性、输出频谱纯度和开关速度。
频率稳定性代表输出信号的短期和长期变化。短期稳定性与远小于一个完整信号周期的变化有关。这些变化以相位抖动和相位噪声表示。相位抖动定义时域中信号相位的微小波动,相位噪声是其频谱表示,由相对于载波频率的不同偏移频率下1Hz带宽中包含的相对噪声功率水平来描述。如果频率变化发生在较长时间段内,我们通常会使用长期稳定性来描述,它是指由于温度、负载条件、老化等各方面导致的输出频率漂移(通常用ppm表示)。
频谱纯度是器件选择流程中要考虑的另一个重要特性。它由器件输出频谱中存在的杂散成分来描述,通常用相对于基频水平表示的谐波水平和馈通分量来量化。
除了输出信号的稳定性和频谱纯度之外,开关速度(也称为建立时间或锁定时间)是又一个典型的权衡参数,选择最优频率产生器方案时需要予以考虑。它描述器件从一个频率切换到另一个频率所需的时间,此要求可能会因最终应用而有很大差异。
器件的主要类型
上面定义了用于表征频率产生器件的主要性能判据,现在我们简要说明其主要类型,这些类型旨在提供与这些判据相关的不同特性组合。此概述最终应作为选择正确类型器件以满足目标应用需求的指南。
晶体(XTAL)振荡器(XO)使用压电谐振器(通常为石英)产生几千赫兹至几百兆赫兹的固定输出频率。有一种特殊类型的XO,称为压控晶体振荡器(VCXO),它允许改变频率,但只能改变很小的量以支持微调。XO是具有极高Q因子(可超过100,000)的机电换能器,可产生非常稳定且相位噪声非常低的输出频率。XO的最大输出频率和调谐能力有限,但是,当需要为其他类型的器件提供单一精确参考以获得更高频率时,它是出色的选择。
压控振荡器(VCO)是一种不同类型的频率产生器件,依赖于LC谐振电路。与晶体相比,电气电路元件的Q因子要低得多(通常低1000倍),但它可以实现高得多的输出频率和宽调谐范围。VCO产生的输出信号频率由外部输入电压控制。VCO的内核可以使用不同的谐振电路。使用高Q谐振器的单核VCO可在有限频率范围内提供低相位噪声性能,而较低Q因子的振荡器以宽带操作为目标,噪声特性很一般。使用多个切换式高Q谐振器电路的多频段VCO是一种折衷解决方案,既支持宽带操作,又能提供低相位噪声性能,但其代价是调谐速度较慢,因为切换不同的核需要时间。VCO是一种出色的全方位解决方案,但它一般不能提供稳定的输出信号,这就是为什么VCO经常与锁相环(PLL)配合使用以提高输出频率稳定性的原因。
锁相环(PLL)或PLL频率合成器可确保许多频率合成和时钟恢复应用所需的VCO输出频率稳定。如图1a所示,PLL包含鉴相器,其将VCO频率的N分频与参考频率进行比较,并使用该差值输出信号调节施加于VCO调谐线路的DC控制电压。这使得任何频率漂移都能得到即时校正,因而振荡器能够保持稳定工作。典型的PLLIC包含误差检测器(带电荷泵的鉴频鉴相器或PFD)和反馈分频器(参见图1a中的虚线区域),另外还需要外部环路滤波器、精密参考频率和VCO以构成一个完整的反馈系统,从而产生稳定的频率。使用集成VCO的频率合成器IC可以大大简化该系统的实现。
集成VCO的频率合成器将PLL和VCO组合在单个封装中,只需要外部参考和环路滤波器就能实现所需的功能。集成式PLL频率合成器是一种多功能解决方案,具有广泛的数字控制设置,支持产生精确频率。它常常包含集成功分器、倍频器、分频器和跟踪滤波器,频率覆盖范围超越了VCO的基频范围,达到数个倍频程。所有这些元件的内在参数决定了输出频率范围、相位噪声、抖动、锁定时间和其他表示频率合成电路总体性能的特性。
转换环路是基于PLL概念的另一类频率合成器,但采用不同的方法实现。如图1b所示,其反馈环路中使用的是集成下变频混频级,而不是N分频器,环路增益设置为1,带内相位噪声极小。转换环路IC(参见图1b中的虚线区域)专为对抖动高度敏感的应用而设计,并与外部PFD和LO组合使用,以紧凑的尺寸实现完整的频率合成解决方案,提供仪表级性能。
直接数字频率合成器(DDS)是集成PLL频率合成器的替代方案,采用不同的原理实现。基本DDS架构的原理图如图1c所示。它是一种数字控制系统,包括表示时钟信号的高精度参考频率、创建目标波形数字版本的数字控制振荡器(NCO)以及提供最终模拟输出的数模转换器(DAC)。DDSIC提供非常快的开关速度、精细的频率和相位分辨率以及低输出失真,因此特别适合于出色噪声性能和高频率捷变性至关重要的应用。
结论
频率产生器件应用广泛,可实现各种功能,包括变频、波形合成、信号调制和时钟信号产生。针对最终应用施加的不同要求,需要设计不同类型的频率产生器件,本文简要说明了这些器件的主要类型。例如,通信系统需要低带内噪声以维持低误差矢量幅度(EVM),频谱分析仪依赖于具有快速锁定时间的本振来实现快速频率扫描,高速转换器需要低抖动时钟以确保高SNR性能。
在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中,低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统,却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战,设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证(AEC-Q101) E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列,正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能,助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。
在当今高速成像应用中,如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实(AR/VR/MR)和条码扫描,传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心,会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体,具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数(如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等)以及高级功能(如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择),因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。
安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET,构建出高性能共源共栅(cascode)结构,攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻(RDS(on))与卓越热性能,以及Si MOSFET的易控常关特性,为大电流应用(如固态断路器、高功率开关系统)和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。
IR:6红外芯片通过实质性的技术创新,显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能(亮度、效率和图像质量)。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现,特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。
工业设备加速迈向电动化,对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械,充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入(120-480 Vac),并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中,功率因数校正(PFC)级的拓扑选择至关重要,它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战,重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案,并探讨碳化硅(SiC)MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案,为工程师提供清晰的设计指导。