陶瓷介质有什么特点？

瓷介电容器又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜(一般为银)经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封,即成为瓷介电容器。作为资介电容器介质的陶瓷材料是由各种原料按照不同的配方经高温烧结后制成的。

陶程材料配方不同，它的电性能也不-样。利用这一点，就可以制造出各种不同介电常数和不同温度系数的电容器，以满足不同的使用要求。瓷介电容器常用的陶瓷介质材料有以下三类:Ⅰ型电容器陶瓷:它的介电常数一般小于100 ，电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而变化，属超稳定、低损耗的电容器介质材料，常用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的场合。

Ⅱ型电容器陶瓷:它的介电常数一般大于1000 ，电气性能较稳定，适用于隔直、耦合、旁路和洁、波电路及对可靠性要求较高的中、低频场合。因型电容器陶盟:它具有很高的介电常数，广泛应用于对容量稳定性和损耗要求不高的场合。以铁酸顿为主的陶瓷材料为介质的电容器被称为独石瓷介电容器，它由多层片状陶瓷膜叠起来烧结而成。由于它的每片陶盗膜很薄，因此具有容量大、体积小的特点。

资介电容器具有以下特点:①由于电容器的介质材料为陶哇，所以耐热性能良好，不容易老化。②瓷介电容器能耐酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好。③低频陶瓷材料的介电常数大，因而低频瓷介电容器的体积小、容量大。④绝缘性能好，可制成高压电容器。⑤高频陶瓷材料的损耗角正切值与频率的关系很小，因而在高频电路可选用高频监介电容器。⑥价格便宜，原材料丰富，适宜大批量生产。⑦盟介电容器的电容量较小，机械强度较低。

瓷介电容器的品种很多，按介质材料可分为高介电常数电容器和低介电常数电容器;按工作频率可分为高频瓷介电容器和低频号是介电容器;按工作电压又可分为高压瓷介电容器和低压瓷介电容器。瓷介电容器的外形结构也是多种多样的，常见的有圆片形、管形、穿心式、筒形以及叠片式等。

如果电子模块有不用的引脚，我们在处理时，可以考虑直接连接到地平面上去。如果有射频接受模块的话，这些引脚的接地可能会造成射频接受性能的降低，这时候就不能使用接地的方式了，必须使用ESD的电容和放电电阻来消除静电的影响了。还有一种例外也是很常见的，如果这些不用的引脚附近有电源或者HSD输出的时候，我们就必须考虑把这些引脚接电容或者地了。显而易见的是，如果这些引脚相邻小于5mm，在不断的插拔过程中，引脚可能弯曲，这样会引起严重的断路事故，这是不被允许的。当然ESD电容和放电电阻不一定必须接到地，也可以接到阻抗低的电源。以上所有的措施都是为了防止静电从意想不到的路径传递到板上。

我们在设计ESD电容的时候，电容的容值是有限的，额定电压也是有限地，对于特定ESD测试，容值越小，加到电容上的电压越高，参考ESR放电模型可以得出这样的结论。电容容值大，可以抵抗较高的电平。实际加在电容上的电压受空气放电的影响，和外壳容器大小是相关的。对于填充材料和额定电压要注意的，首先C0G这种材质的电容最稳定也是性能最好的对于过ESD实验来说，其次电容的额定电压越大过高等级的ESD实验越有帮助。最后同样尺寸的电容，额定电压增加时，容值是受限的（电容发展越来越快的情况下，这种情况在改善）。电容大小对ESD能力影响不大，如果是同样的容值和同样的额定电压的情况下。越小的封装，其最大可实现的容值是受限制的，在额定电压情况相同的条件下。减小电容封装在严酷的ESD要求下需要谨慎。