ADAS 系统在汽车市场的渗透不会很快结束

消费者对安全的日益关注、对驾驶舒适度的需求以及不断增加的政府安全法规，成了汽车 ADAS 增长的主要驱动力。可以毫无疑问地说，ADAS 系统在汽车市场的渗透将不会很快结束。

背景信息

到 2020 年，ADAS 市场预计将达到 600 亿美元 [数据来源：Allied Market Research]。这意味着，在 2014 年到 2020 年这个时间段内，年复合增长率为 22.8%。显然，这对半导体产品而言，意味着巨大的机会！背景信息到 2020 年，ADAS 市场预计将达到 600 亿美元 [数据来源：Allied Market Research]。这意味着，在 2014 年到 2020 年这个时间段内，年复合增长率为 22.8%。显然，这对半导体产品而言，意味着巨大的机会！

ADAS 是“高级驾驶员辅助系统 (Advanced Driver Assistance Systems)”的英文首字母缩略语，在今天的很多新型汽车中都能经常见到。这类系统常常方便了安全驾驶，如果系统检测到来自周围物体的风险，例如不守规矩的行人、骑行者甚至处于不安全行驶方向的其他车辆，就会向驾驶员发出警报。此外，这类系统通常还会提供动态功能，例如自适应巡航控制、盲点检测、车道偏离警告、驾驶员犯困监视、自动刹车、牵引力控制和夜视。

ADAS增长的到来必然伴随着对这个行业的挑战，其中包括价格压力、通货膨胀、测试这类系统的复杂性和困难。此外，欧洲是最具创新性的汽车市场之一，这一点应该不足为奇，因此，欧洲已经看到，ADAS 正大举进入市场，欧洲汽车行业的客户在大量采用 ADAS。不过，美国和日本汽车制造商也没有很落后。汽车行业的最终目标是，提供无人坐在方向盘后面的自动驾驶汽车！

系统带来的挑战

一般而言，ADAS 系统中包括某种处理器，以收集来自汽车中无数传感器的输入数据，然后处理这些数据，以便能够以容易理解的方式方便地提供给驾驶员。此外，这类系统通常直接由汽车的主电池供电，其标称电压为 9V 至 18V，不过由于系统中的电压瞬态而可能高达 42V，以及在冷车发动情况下可能低至 3.5V。因此，很显然的是，这类系统中的任何 DC/DC 转换器最低限度都必须能够应对 3.5V 至 42V 的宽输入电压范围。

很多 ADAS 系统都是用 5V 和 3.3V 轨给各种模拟和数字 IC 产品供电，然而，通常使用的处理器 I/O 及内核电压的运行要求却处于低于 2V 的范围，而且有可能低至 0.8V。此外，这类系统常常安装在汽车中某一空间和散热都受限的地方，因此限制了可用于冷却用途的散热器的使用。

最后，似乎设计师的任务还不够复杂，他们还必须确保 ADAS 系统符合汽车中的各种抗噪声标准要求。在汽车环境中，对有些区域，低热耗散和高效率是很重要的，在这些区域，开关稳压器正在取代线性稳压器。此外，开关稳压器一般是输入电源总线上的第一个有源组件，因此对整个转换器电路的 EMI 性能有很大的影响。

有两种类型的 EMI 辐射：传导型和辐射型。传导型辐射依赖连接产品的导线和走线。既然这种噪声局限于设计中的特定端子或连接器处，那么如之前已经提到的那样，通过良好的布局或滤波器设计，常常在开发过程相对较早的阶段，就能够确保符合传导型辐射要求。

然而，辐射型辐射就完全是另外一回事了。电路板上携带电流的所有东西都辐射一个电磁场。电路板上的每一条走线都是一个天线，每一个铜平面都是一个谐振器。除了纯粹的正弦波或 DC 电压，任何信号都产生遍布信号频谱的噪声。

与通孔式组件相比，采用表面贴装技术的新式输入滤波器组件的性能更高。然而，这种改进的速度慢于开关稳压器开关工作频率提高的速度。开关转换速度提高，会使效率提高、最短接通和断开时间缩短，但是谐波分量增大了。

熟练的 PCB 设计师将设计很小的热环路，并使用尽可能靠近有源层的屏蔽接地层。然而，在去耦组件中存储充足能量所需的器件引脚布局、封装结构、热设计要求和封装尺寸决定了热环路的最小尺寸。使问题更加复杂的是，在典型的平面印刷电路板中，走线之间高于 30MHz 的磁性或变压器型耦合将全面减弱滤波器的作用，因为谐波频率越高，不想要的磁耦合就变得越有效。

低具 EMI/EMC 辐射的双 DC/DC 转换器

由于上述的应用限制，凌力尔特开发了 LT8650S，这是一款能接受高输入电压的双输出单片同步降压型转换器，具很低的 EMI / EMC 辐射。其 3V 至 42V 输入电压范围使该器件非常适合包括 ADAS 在内的汽车应用，汽车应用必须稳定通过最低输入电压低至 3V 的冷车发动和停-启情况、以及超过 40V 的负载突降瞬态。

正如在图 1 中能看到的那样，这是一款双通道设计，由两个高压 4A 通道组成，提供低至 0.8V 的电压，从而使该器件能够驱动目前可用和电压最低的微处理器内核。其同步整流拓扑在 2MHz 开关频率时提供高达 94.4% 的效率，而突发模式 (Burst Mode®) 运行在无负载备用条件下保持静态电流低于 6.2µA (两个通道都接通)，从而使该器件非常适合始终保持接通系统。

图 1：LT8650S 原理图 ─ 在 2MHz 时提供 5V/5A 和 3.3V/4A 输出

LT8650S 的开关频率可以设定在 300kHz 至 3MHz 范围内，并可同步至这一范围。其 40ns 最短接通时间允许在高压通道以 2MHz 开关频率进行 16VIN至 2.0VOUT降压转换。其独特的 Silent Switcher®架构使用两个内部输入电容器以及内部 BST 和 INTVCC电容器，以最大限度减小热环路面积。

LT8650S 的设计兼具控制良好的开关边沿和一种具整体接地平面的内部结构，并用铜柱代替了接合线，因此显著降低了 EMI / EMC 辐射。参见图 2 以了解辐射输出特性。这种改进的 EMI / EMC 性能对电路板布局不敏感，从而简化了设计并降低了风险，甚至在使用两层 PC 板时也不例外。LT8650S 在整个负载范围内以 2MHz 开关频率切换时，能够非常容易地满足汽车 CISPR 25 Class 5 峰值 EMI 限制。扩展频谱频率调制也可用来进一步降低 EMI 水平。

图 2：LT8650S 的辐射 EMI 图

LT8650S 使用内部顶部和底部高效率电源开关，单个芯片内集成了必要的升压二极管、振荡器、控制和逻辑电路。低纹波突发模式运行在低输出电流时保持高效率，同时保持输出纹波低于10mVp-p。

最后，LT8650S 采用小型耐热性能增强型 4mm x 6mm 32 引脚 LGA 封装。