电解电容注意事项和镜像设计

一个D类单阳极设计的ESL值为2.4nH，典型值为2.1nH左右。镜像设计的ESL值约1nH为常规设计的一半。这会将镜像多阳极的共振频率升至更高值。镜像结构如果使用更薄的阳极，电容将随频率下降至更低。镜像设计的共振频率改变，其原因是目前一般的DC/DC转换器其开关频率的工作范围（250～500kH）会因降低ESL而显著升高。

镜像设计的另一个好处是改善了其散热性能，纹波电流在阳极产生的热量通过PCB板上的引线和钽丝得以发散冷却。尽管单阳极D类电容可连续散热只有150mW，但类似尺寸的镜像结构电容可以处理255mW。镜像横向型多阳极电容器目前可达到的电容值为220～1000μF，电压为2.5～10V，ESR值为25～35mΩ。未来的发展将进一步扩展电压范围至35和50V，这将使电容器在设计高度日趋重要的电信新应用中非常具吸引力。单个35～50V电容在3.1mm的最大高度内拥有10～22μF的电容量，65～140mΩ的ESR值，这是其他任何技术都难以企及的。

电解电容器、纸介电容器和塑料薄膜电容器不适合用于高频去耦。这些电容器基本上是由多 层塑料或纸介质把两张金属箔隔开然后卷成一个卷筒制成的。这种结构的电容具有相当大的 自 感，而且当频率只要超过几兆赫时主要起电感的作用。对于高频去耦更合适的选择应该是单 片陶瓷电容器，因为它们具有很低的等效串联电感。单片陶瓷电容器是由多层夹层金属 薄膜 和陶瓷薄膜构成的，而且这些多层薄膜是按照母线平行方式排布的，而不是按照串行方式卷绕的。

单片陶瓷电容的不足之处是具有颤噪声(即对振动敏感)，所以有些单片陶瓷电容器可能会出 现自共振，具有很高的Q值，因为串联电阻值及与其在一起的电感值都很低。另外，圆片陶 瓷电容器，虽然价格不太贵，但有时电感很大。

电解电容由于有正负极性，因此在电路中使用时不能颠倒联接。在电源电路中，输出正电压时电解电容的正极接电源输出端，负极接地，输出负电压时则负极接输出端，正极接地．当电源电路中的滤波电容极性接反时，因电容的滤波作用大大降低，一方面引起电源输出电压波动，另一方面又因反向通电使此时相当于一个电阻的电解电容发热．当反向电压超过某值时，电容的反向漏电电阻将变得很小，这样通电工作不久，即可使电容因过热而炸裂损坏．

加在电解电容两端的电压不能超过其允许工作电压，在设计实际电路时应根据具体情况留有一定的余量，在设计稳压电源的滤波电容时，如果交流电源电压为220~时变压器次级的整流电压可达22V，此时选择耐压为25V的电解电容一般可以满足要求．但是，假如交流电源电压波动很大且有可能上升到250V以上时，最好选择耐压30V以上的电解电容。电解电容在电路中不应靠近大功率发热元件，以防因受热而使电解液加速干涸。对于有正负极性的信号的滤波，可采取两个电解电容同极性串联的方法，当作一个无极性的电容。