发布时间:2022-05-5 阅读量:1467 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
电容器频繁投切产生过电压的危害。为了将功率因数控制在较高水平,有些输油泵站安装了无功自动补偿装置,高压输油电机无功经常性波动引起了电容器频繁投切。电容器投入电网时形成振荡回路,产生过电压和过电流。在频繁过电压的作用下,电容器的局部放电不断得到激发而加剧,其结果必然对绝缘介质的老化和电容量的衰减起促进作用。

一般认为电压升高10%,寿命降低一半。国标规定电容器操作每年不超过5000 次,原因是投入电容器所产生的过电压虽然是瞬间的,但过电压对绝缘介质的影响是能够积累的。在安装自动补偿装置后电容器组频繁操作,每年每台电容器操作次数为国标要求的3 倍以上,加速了绝缘介质的老化,逐步发展到电击穿,最后电容器爆破以致引起火灾。谐波能导致系统运行电流、电压正弦波形畸变,加速绝缘介质老化,降低设备使用寿命或因长期过热而损坏,特别是当高次谐波发生谐振时,最易使电容器过负荷、过热、振动甚至损坏。
电容器分散就地补偿的隐患在于泵房是易燃易爆场所,电容器外壳箱体放电及由套管脏污或套管缺陷造成闪络放电均可能引起泵房着火爆炸事故发生。我们解决的方法是采取电容器集中补偿,电容器室选址和建造时应考虑与泵房保持安全距离、良好通风、防尘防雨及便于巡视等问题。采取电容器组循环投切,同时延长自动补偿装置控制器的延时时间间隔,从而减少投切次数,使得每组电容器操作每年不超过5000 次。采取加装串联电抗器或滤波装置的办法对谐波加以抑制,提高电网供电质量。
因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。

实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极。使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量。
晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。
RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。
时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。
恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。
晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。