耗尽型晶体管的导电形成过程

耗尽型MOS晶体管分为耗尽型NMOS晶体管和耗尽型PMOS晶体管。对于耗尽型器件，由于VGS=0时就存在导电沟道，因此，要关闭沟道将施加相对于同种沟道增强型MOS管的反极性电压。对耗尽型NMOS晶体管，由于在VGS=0时器件的表面已经积累了较多的电子，因此，必须在栅极上施加负电压，才能将表面的电子“赶走”。

同样地，对耗尽型PMOS晶体管，由于在VGS=0时器件的表面已经存在积累的正电荷空穴，因此，必须在栅极上施加正电压，才能使表面导电沟道消失。使耗尽型器件的表面沟道消失所必须施加的电压，称为夹断电压 VP (PINch-off)，显然，NMOS的夹断电压VPN<0，PMOS的夹断电压VPP>0。耗尽型NMOS晶体管夹断电压VP的符号为负。增强型NMOS晶体管阈值电压VT的符号为正。

耗尽型器件的初始导电沟道的形成主要来自两个方面：①栅与衬底之间的二氧化硅介质中含有的固定电荷的感应；②通过工艺的方法在器件衬底的表面形成一层反型材料。显然，前者较后者具有不确定性，二氧化硅中的固定正电荷是在二氧化硅形成工艺中或后期加工中引入的，通常是不希望存在的。后者则是为了获得耗尽型MOS晶体管而专门进行的工艺加工，通常采用离子注入的方式在器件的表面形成与衬底掺杂类型相反(与源漏掺杂类型相同)的区域，例如，为获得耗尽型NMOS管，在P型衬底表面通过离子注入方式注入Ⅴ价元素磷或砷，形成N型的掺杂区作为沟道。由于离子注入可以精确的控制掺杂浓度，因此器件的夹断电压值具有可控性。

MOS管的开通过程，二极管可是外接的或MOS管固有的。开关管在开通时的二极管电压、电流波形如图5所示。在图5的阶段1开关管关断，开关电流为零，此时二极管电流和电感电流相等；在阶段2开关导通，开关电流上升，同时二极管电流下降。开关电流上升的斜率和二极管电流下降的斜率的绝对值相同，符号相反；在阶段3开关电流继续上升，二极管电流继续下降，并且二极管电流符号改变，由正转到负；在阶段4，二极管从负的反向最大电流IRRM开始减小，它们斜率的绝对值相等；在阶段5开关管完全开通，二极管的反向恢复完成，开关管电流等于电感电流。存储电荷少时，反向电压的斜率大，并且会产生有害的振动。而前置电流低则存储电荷少，即在空载或轻载时是最坏条件。所以进行优化驱动电路设计时应着重考虑前置电流低的情况，即空载或轻载的情况，应使这时二极管产生的振动在可接受范围内。

MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力（VDS恒定）的参数，也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。 (忽略沟道长度调制效应，λ=0，在以下分析中，如未出现λ参数，均表示λ=0的情况)。MOS管的阈值电压等于backgate和source接在一起时形成channel需要的gate对source偏置电压。如果gate对source偏置电压小于阈值电压，就没有channel。一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，gate材质和电介质中的过剩电荷。