隔离变压性能参数及优缺点

发布时间:2022-06-2 阅读量:2371 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora

对于供电和用电网络的涵义: K系数代表供电和用电网络中谐波的恶劣程度,K系数越高,代表供电和用电网络中谐波越恶劣,K=1代表供电和用电网络中不含有任何谐波,全部为基波分量,UPS系统和数据机房的供电和用电网络为:13和20,K系数不随负载率变化而变化,只和网络谐波频谱有关。

 

隔离变压

 

K系数是谐波热损耗的一个折算系数,通常从1到50,常选用:1、4、7、9、11、13、20、30,最经常选用的是:1、4、13、20。提高变压器K系数耐受能力的主要办法:变压器特殊设计,降低或消除变压器自身对谐波敏感的因数;选择高温等级的高密度绝缘漆包铜线(H级180度以上);降低变压器自身损耗,提高变压器效率;选择具有滤波能力的变压器,如Dzn0变压器,和双输出变压器Dyn11d0;在供电容量允许时适当增大变压器容量,降低设备使用负载率。

 

隔离变压器消除谐波的能力。输入电源的三次谐波被封闭在输入三角绕组内部,不会通过电磁感应传导到输出端,但三次谐波会对输入绕组产生附加的三次谐波热损耗,降低变压器的K系数耐受能力。输出负载产生的三次谐波经过输出绕组,对输出绕组产生附加的三次谐波热损耗,而且会通过电磁感应传导到输入端,并在输入绕组产生附加的谐波热损耗,降低变压器的K系数耐受能力。输入电源或输出负载产生的其他次谐波,主要有5,7,11,13,17,19均会通过电磁感应互相传导,并在输入输出绕组中产生附加的谐波热损耗,并反馈到电网,降低变压器的K系数耐受能力。

 

将隔离变压器输入端接到相应的电源电压上(380V),将隔离变压器输出端(660V)接到所需使用设备的电源输入端上。合上电源即可正常使用。高压隔离变压器抗干扰作用,如通过Y/△接线的隔离变压器后,能够阻止一部分谐波的传输;隔离变压器的阻抗变换作用,增加系统阻抗,使保护装置等容易配合;在稳定系统电压方面,如启动大负荷设备时,减少对系统电压的影响;同时也能防止系统接地,当隔离变压器负荷侧发生单相接地时,不会造成整个系统(隔离变压器以上部分)单相接地;当负荷侧发生短路事故时,限制系统的短路电流。

 

按照需求改变电压并输出是普通变压器的主旨目标。按照其功能目标可以将普通变压器简单区分为降压变压器和升压变压器。而隔离电压并不是普通变压器的主要任务,有的变压器原边与副边的电压没有隔离,普通变压器偏重改变电压,无法隔离电压。隔离电压是隔离变压器的首要工作任务。对隔离变压器来说,原副边线圈材质的绝缘性是首要注意的问题。另外,隔离变压器在切处和次级线之间设有隔离层,这个隔离层连接的是初级接地端,这个设计对隔离杂质有不可忽视的作用。

 

隔离变压

 

隔离变压器在隔离杂质和设备的维护保养方面具有很大优势。但是二者作为变压器也具有共同点:他们的工作原理均是利用电磁感应原理。隔离变压器则更偏重于隔离电压保障安全。隔离变压器作为一种安全性能极高的变压器,具有稳定性强、抗阻性高的优势。不但保护设备的安全,而且可以保障使用者的人身安全。目前多用于精密仪器系统的净化维护、保养、防止雷击、抗干扰、稳定转化电能等方面。


220x90
相关资讯
晶振启动时间影响因素解析与优化方向

​晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。

解析RTC实时时钟芯片的工作原理

RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。

无源晶振与有源晶振在MCU应用中的关联逻辑与选型指南

时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。

VC-OCXO压控恒温晶振管脚功能定义解析

恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。

晶振倍频干扰解决方案:从PCB布局优化到源头抑制与电路整改

晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。