阈值电压VT调整对MOS管的影响

Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果backgate越重掺杂，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate dieleCTRic表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。

Vt调整implant对NMOS管的影响。如果implant是由aCCeptors组成的，那么硅表面就更难反转，阈值电压也升高了。如果implant是由donors组成的，那么硅表面更容易反转，阈值电压下降。如果注入的donors够多，硅表面实际上就反向掺杂了。这样，在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的channel。随着GATE偏置电压的上升，channel变得越来越强的反转。随着GATE偏置电压的下降，channel变的越来越弱，最后消失了。这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。这样的晶体管称为耗尽模式NMOS，或简单的叫做耗尽型NMOS。相反，一个有正阈值电压的的NMOS叫做增强模式NMOS，或增强型NMOS。绝大多数商业化生产的MOS管是增强型器件，但也有一些应用场合需要耗尽型器件。耗尽型PMOS也能被生产出来。这样的器件的阈值电压是正的。

电子管的热丝是用硝化纤维、丁醇、醋酸乙酯的混合液体中，加入细腻的纯净刚铝石粉末进行研磨，形成悬浊液，将纯净的钨丝或者钼丝，表面用喷涂的办法，喷上一层刚铝石悬浊液，然后在900度的温度下加热几分钟，自然冷却。然后将热丝在20%的氢氧化钾溶液中煮几分钟，然后用蒸馏水冲洗烘干，在空气中加热到100度几分钟，蒸发溶剂。然后在高温氢气炉中以1600-1650度高温加热几分钟，就可以备用了。

电子管内部出现蓝光的问题。出现蓝光的原因很多，有些是电极之间的蓝光，有些是玻璃壳上面的蓝光。通常，电极之间出现蓝光的原因是电子管内部的电位差过高，导致出现电弧，这在一些工作电压高的功率管之中常常能见到。当然如果是因为电子管的真空度降低也会出现电极之间的蓝光现象，不过一般而言真空度缓慢降低的管子，它的消气剂通常会出现减少的情况。

还有一种情况是玻璃外壳上面出现了蓝光，这在一些透明玻璃外壳管常常见到，这是电极构造造成的原因，通常设计优良的电极系统中，杂散电子轰击玻璃壳的情况很少，但是有些管的结构设计上或者装配上有问题的情况下，会出现一定的电子轰击玻璃壳的情形，此种情况下，轻则容易引起杂音并且管子的电流特性变得不平均，在严重情况下，对于大功率管而言，会导致玻壳电位梯度改变，引起玻壳电解或者甚至于炸裂，所以一般而言，玻璃外壳上没有蓝光是正常的。有些功率管都采用了喷碳的办法，一则功率管容易散热，二则外壳电位是平均的，不会引起各种问题。通常看到的都是喷碳的，仔细观察下可以看到，喷碳管和没有喷碳的比较而言，蓝光少了许多。