发布时间：2022-07-7 阅读量：1491 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
近日，长电科技在互动平台表示，公司已可以实现4nm手机芯片封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装，在先进封装技术方面再度实现突破。
今年6月13日，长电科技就表示，公司一直在与不同晶圆厂在先进工艺的硅节点上进行合作，并与行业主要客户进行相关技术研发和项目开发，现已具备5/7nm晶圆制程的量产能力并支持客户完成了高性能运算芯片和智能终端主芯片产品的量产。
长电科技在先进封装技术上积累已久，近年来成果逐步显现。
去年7月，长电科技发布XDFOI多维先进封装技术，该技术为实现异构集成扩展了更多可能性，也为此次突破4nm先进工艺制程封装技术打下基础。据悉，该方案将在下半年进入生产。
在先进封装领域，SiP和Fan-out(eWLB)也是长电科技两大亮点。
SiP产品产品方面，特别是在在移动终端领域，长电科技提前布局高密度系统级封装SiP技术，配合多个国际高端客户完成多项5G射频模组的开发和量产，已应用于多款高端5G移动终端。同时，应用于智能车DMS系统的SiP模组已在开发验证中。
而eWLB是一种典型的FO-WLP技术，主要用于高端手机主处理器的封装，如苹果A10和高通820，此外FO-WLP也可应用在3D-IC封装上，未来发展潜力巨大。其位于星科金朋新加坡厂的eWLB具有较强竞争力。
2021年6月，长电科技完成对AnalogDevicesInc.(简称“ADI”)新加坡测试厂房的收购，11月，长电科技江苏宿迁苏宿工业园区的新厂正式投入量产。此外，今年3月16日，长电科技在投资者互动平台表示，公司2021年非公发募投项目中，年产36亿颗高密度集成电路及系统级封装模块项目已开始小批量试生产，年产100亿块通信用高密度混合集成电路及模块封装项目已开始生产。随着产能不断释放，公司将进一步抢占公司在5G通讯设备、大数据、汽车电子等领域的市场。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩，标志着其连续三个季度实现同比增长，显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告，该公司在多个关键财务指标上表现稳健，受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为，这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示，当季实现营收2.521亿美元，较去年同期大幅增长32.3%，创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司（Microchip Technology）于8月7日发布了其2026财年第一季度（截至2025年6月30日）的财务报告。报告显示，公司业绩呈现显著复苏迹象，多项关键指标环比改善，并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日，赛力斯集团（601127）公布2025年7月产销快报。数据显示，尽管整体市场仍承压，集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性，单月销量同比提升5.7%，而传统燃油车型业务持续收缩，反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下，传统的硅基（Si）功率器件，特别是在双向能量流动应用（如电池管理系统BMS）中常用的背靠背MOSFET方案，逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓（VGaN™）器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸，成为理想的替代者。然而，充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科（Innoscience）作为全球领先的VGaN™ IDM厂商，推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟，为双向电力电子系统设计带来革命性突破。
