发布时间:2022-08-17 阅读量:713 来源: 我爱方案网 作者: 中电会展
8月16日,第十届中国电子信息博览会(CITE 2022)在深圳开幕。本次博览会以“奋进十载 智创未来”为主题,展出面积超过10万平方米,共分9大展馆20大专业展区。
作为聚焦于存储产业的行业资讯平台,本届展会吸引了澜起科技、金士顿、宏芯宇、江波龙、紫晶存储、忆恒创源等多家存储企业,让我们跟随小编的脚步看他们都带来了那些产品吧!
澜起科技
澜起科技是一家数据处理及互连芯片设计公司,为云计算和人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案。
展会现场,澜起科技重点展出了CXL内存扩展控制器、津逮CPU、混合安全内存模组等产品。他们此次展出的CXL内存扩展控制器是澜起科技全球首发,解决了一些数据中心建设、运营过程中面对的内存扩展问题,目前,行业头部大厂都尚未推出这种产品。
工作人员介绍,这款型号为M88MX5891的CXL内存扩展控制器芯片内部集成了CXL控制器、DDR内存控制器和RISC-V微处理器,支持PCIe 5.0接口,符合CXL 2.0规范,支持JEDEC DDR4和DDR5标准。
宏芯宇
宏芯宇专注于存储芯片产品的研发、生产、测试及销售,拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储及内存四大产品线。
在宏芯宇展区,主要围绕四大产品线展出了消费类存储产品。据现场工作人员介绍,宏芯宇主要给品牌代工,产品研发力度大,目前拥有五款自研主控。
本次展会,型号为CS2232的eMMC主控据称是全球第一颗40nm USB 3.2 Gen1×1主控芯片的HG2319受到了重点推介,CS2232采用eMMC 5.1接口规范,速度可达400MB/s,主要针对穿戴式等长时间待机产品设备。
紫晶存储
紫晶存储是一家针对海量温冷数据管理需求提供解决方案的光存储企业,主要为金融、医疗、档案、公检法、数据灾备中心等行业提供服务。
展会现场,紫晶存储重点展示了磁光电混合存储系统ZL系列产品以及MBD50光盘摆渡机。相对于速度更快的SSD产品来说,紫晶存储的光存储产品能做到数据保存年限更久、安全稳定、容量更大。
忆恒创源
忆恒创源是一家面向企业客户的NVMe SSD产品提供商,产品用于互联网、云服务、金融和电信等行业。
此次,忆恒创源展出了PBlaze 6 6531和6530系列NVMe SSD产品。
现场工作人员表示,忆恒创源与长江存储、美光等原厂有深入的合作,并帮助一些大厂做贴标产品开发生产。目前,忆恒创源已主动放弃SATA市场,聚焦于PCIe产品。此外,忆恒创源正在推进上市计划。
江波龙
本月初刚上市的存储企业江波龙也参与了这次展会,展台上主要展出了江波龙消费市场及工用市场的存储产品。
工作人员向小编详细介绍了其工业用、车规和消费存储产品的区别,并坦诚表示,目前消费市场的收入仍占公司营收大头,但工业市场也在发展。
就目前存储市场的行情,工作人员也直言不讳的表示,当前的下行行情对整个行业都影响较大,江波龙也无法例外。甚至,作为存储产业链的一个生态参与者,江波龙也一度受倒挂的价格所苦。
金士顿
老牌存储企业金士顿在此次博览会上主要展示了一系列OEM存储产品,包括SSD、内存、服务器内存、企业级固态硬盘和存储卡、SD卡等。
据了解,金士顿的一个重要动向是,企业级固态产品已经砍掉PCIe 3.0,全面转向PCIe 4.0,而消费级固态产品在这个转变上的时间点是在9月份。
而在提及目前的存储行情时,工作人员表示,金士顿作为行业老牌企业,对供应链的把控能力较强,会担负起一个大企业应该有的行业责任,帮助维护好行业秩序。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。