英特尔的 10nm Cannon Lake-Y“特殊样品”CPU

发布时间:2022-08-23 阅读量:853 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora

近日,网上出现了基于Cannon Lake架构的英特尔 CPU 样本,设计为 10nm 芯片的 CPU采用了三芯片设计。或许英特尔将会在其未来的处理器中采用小芯片/混合设计。     

 

1661233042604884.png

 

英特尔的 10nm Cannon Lake-Y特殊样品”CPU  

 

YuuKi_AnS透露的图片显示,上述 SKU 是仅供内部使用的“特殊样品”系列的一部分。由于该特定芯片从未零售,我们可以假设这些特殊芯片并非用于大众营销,而是用于测试和内部测试目的。  

  

1661233049306139.png

 

根据Angstronomics 的 SkyJuice分析,这里的 CPU 示例图片是一个 3-die MCP(多芯片处理器),采用 BGA1392 封装,尺寸为 28mmx16.5mm。封装上有三个小芯片,10nm CPU 芯片是这三个芯片中最大的,尺寸为 70.5mm2,其次是尺寸为 46.17mm2PCH 芯片,最后是尺寸为 13.72mm2McIVR 芯片。  

 

第三个小芯片用作 CPU 的集成稳压器 (IVR),该功能起源于几年前英特尔的Haswell(和Devil's Canyon )第四代 CPU 架构。但由于有额外的芯片,Cannon 的实现被称为多芯片集成稳压器 (McIVR)McIVR本应处理两个小芯片之间的电压调节,但英特尔此后又选择了 FIVR,并且还在考虑将 DLVR 用于他们的一些下一代设计。  

 

IVR 于 2013 年首次在英特尔的第四代 Haswell 架构中首次亮相。IVR 改变了主板和处理器处理电力传输的方式。它将CPU电压调节直接从主板转移到CPU芯片中。  

 

英特尔表示,这大大简化了Haswell 平台的供电设计,IVR 能够将主板上的五个稳压器替换为 CPU 内部的一个。这种设计的另一个好处包括对处理器进行更细粒度的电压控制。但最终,处于未知的原因,英特尔在第五代 Broadwell 芯片之后取消了所有主流桌面架构上的 IVR。然而,我们认为它的移除与热问题和芯片尺寸限制有关。尽管如此,IVR Haswell 之后重新出现在其他架构中,包括一些移动架构和英特尔的Skylake-X HEDT 架构。  


英特尔也计划将 IVR 集成到其 Cannon Lake 移动处理器中,这个原型就是这个想法的证明。但是,IVR Cannon Lake 中的独特之处在于它的多芯片实现。  

 

从英特尔的角度来看,这种方法很有意义,可以显着改善芯片的电压余量和温度限制。由于笔记本电脑上的 CPU 散热器比台式机散热器小得多,因此CPU 需要具有尽可能高的热效率。将 IVR 移至单独的芯片即可做到这一点,并将热量分散到不同的区域,从而使 CPU 冷却器能够更有效地处理热传递。  

 

以前的 IVR 设计,特别是 Haswell 上的设计,使芯片变得特别热,因为 CPU 冷却器现在必须处理来自稳压器和 CPU 内核、集成显卡和 CPU 缓存组合的热量。  

 

英特尔 Cannon Lake-Y 10nm CPU 系列仅发布了两个 SKU,即 Core i3-8121U M3-8114Y。两者都包含 2 个具有 4 个线程的 Palm Cove 内核,但它们仅在少数笔记本电脑和 NUC 中提供。  

 

遗憾的是,这种三芯片设计从未上市。10nm Cannon Lake CPU 是第一个在 10nm 工艺节点上制造的芯片,但由于与产量相关的几个问题,当行业发展时,CPU 就进入了市场。因此,英特尔自己尝试在未来几年内迅速用 Ice Lake Tiger Lake CPU 取代这个家族,这意味着 Cannon Lake 的寿命很短。   

 

英特尔的10nm之路  

 

英特尔最早公布10nm工艺是在20157月。当时,英特尔指出此项工艺存在Multi-patterning缺陷密度高、良率低的问题。而且,10nm(品名:Cannon Lake)的量产时间是在2017年的下半年,相对原计划晚了一年左右。  

 

2018年年初,英特尔表示:“Cannon Lake已经开始小规模量产,2018年下半年计划开始量产”。但是,20184月,英特尔又公布说:“由于良率较低,10nm工艺CPU的量产推迟到2019年”。后来,2019年量产了第二代10nm工艺(注意,不要与10nm+工艺混淆),与首代10nm工艺技术相比,很多方面都有明显的优势。  

 

英特尔本身应该在2015年(首次正式公布10nm的时间)甚至之前就已经了解10nm工艺的优缺点。在充分了解了风险的基础上,英特尔认识到必须要在未来数年内大批量生产与成本、性能、市场投入时间相匹配的CPU。  

 

于是,在2016年年初,英特尔新发布了新的基本理念,目的是为了导入新工艺技术、微架构。也就是说,延续了十年的“Tick-Tock模式寿终正寝,新的“PAOProcess-Architecture-Optimization,制程-架构-优化)”开始上场。即,通过长期优化微架构,反复改善工艺技术、产品设计。  

 

Brookwood表示,十年来“Tick-Tock”充分发挥了其作用。但是,在14纳米中稍微“跌了个跟头”,导致量产时间延迟一年,而且在10纳米工艺中彻底“崩塌”。另一方面,台积电却保持两年更新一次的步调,虽然台积电的性能提高速度不太快,但性能预测的准确度却极高。实际上,在英特尔还在14纳米“徘徊”的时候,AMD几乎已经将所有系列的产品委托给台积电的7纳米工艺生产。

 

关于我爱方案网

 

我爱方案网是一个电子方案开发供应链平台,提供从找方案到研发采购的全链条服务。找方案,上我爱方案网!在方案超市找到合适的方案就可以直接买,没有找到就到快包定制开发。我爱方案网积累了一大批方案商和企业开发资源,能提供标准的模块和核心板以及定制开发服务,按要求交付PCBA、整机产品、软件或IoT系统。更多信息,敬请访问http://www.52solution.com


相关资讯
应对多轨供电挑战!SGM260320 PMIC提供小型化、高效能解决方案

在追求电子设备小型化、高性能和超低功耗的时代,复杂的多轨电源设计已成为研发的关键挑战。传统分立式电源方案不仅占用宝贵的PCB面积,也增加了设计难度与系统功耗控制的复杂性。固态硬盘(SSD)、现场可编程门阵列(FPGA)、微控制器单元(MCU)系统及便携设备对电源管理集成电路(PMIC)的要求日益严苛:高效转换、低待机功耗、高集成度、精确调压以及智能化管理缺一不可。圣邦微电子(SG Micro)推出的SGM260320 PMIC,正是瞄准这一市场需求,以高度集成、卓越性能和丰富的可配置功能,提供了一站式的高效供电解决方案。

突破中端市场壁垒!TDK超薄IMU让全民享受专业级OIS防抖

随着智能手机影像功能逐渐成为用户核心需求,光学防抖(OIS)技术正面临前所未有的性能挑战。TDK株式会社凭借旗下InvenSense公司15年OIS/EIS技术积累,最新推出的SmartMotion® ICM-536xx系列六轴IMU,正在打破高端防抖技术的成本壁垒。该方案通过突破性的6.4kHz输出数据速率和20位分辨率,首次将专业级防抖性能引入主流移动设备市场。

全球机器人装机量下滑3%,中国份额54%成唯一亮点​

2024年,全球工业机器人市场经历了一次明显的周期性调整。国际机器人联合会(IFR)的初步统计数据显示,全年新装机量约为52.3万台,较上年下滑约3%。这是近年来该市场罕见出现的负增长,反映出多重经济与技术周期叠加下的复杂局面。

破局十年空窗 三星携三层堆叠图像传感器强势重返iPhone供应链​

科技行业的顶级联盟再次激活。三星电子近日正式宣布,将与苹果公司展开深度合作,为其下一代智能手机供应关键的图像传感器。这标志着三星自2015年为iPhone供应A9芯片后,时隔近十年重归苹果核心芯片供应链,堪称其半导体业务的一次重大战略回归。

三安光电SiC MOSFET批量供货数据中心巨头,加速全球市场渗透

三安光电近期在投资者互动平台确认,其子公司湖南三安的碳化硅MOSFET器件已实现规模化交付,主要客户包括台达电子、光宝科技、长城汽车子公司及维谛技术等企业。这些合作伙伴专注于数据中心和人工智能服务器的高效电源系统,标志着三安光电在高压半导体领域取得重大突破。最新行业报告显示,2025年全球数据中心电源管理市场对SiC器件的需求同比激增30%,三安光电借此成功切入国际供应链,为海外扩张奠定坚实基础。