Qorvo和SK Siltron CSS 宣布签订了碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议

全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo和半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 宣布，他们已经完成了一项多年碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。    

该协议将促进国内半导体供应链的弹性和更大的能力，以支持对先进碳化硅解决方案快速增长的需求，特别是在汽车市场。随着客户采用 Qorvo 行业领先的第 4 代 SiC FET 解决方案，该协议还将为最终用户客户提供一定程度的保护和信心。    

与传统硅相比，SiC 器件在处理高功率和导热方面更有效。当用于电动汽车 (EV) 系统组件时，可以更有效地将电能从电池传输到电机，从而将 EV 的行驶里程增加 5% 至 10%。    

在2021年，射频解决方案的领先供应商Qorvo宣布，公司已收购位于新泽西州普林斯顿的 United SiliconCarbide (UnitedSiC)，一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。据介绍，收购 United Silicon Carbide 将 Qorvo 的影响力扩大到快速增长的电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。    

据报道，在收购之后，UnitedSilicon Carbide 将成为 Qorvo 基础设施和国防产品 (IDP) 业务的一部分，由 Chris Dries 博士领导，Chris Dries 博士曾任 United Silicon Carbide 总裁兼首席执行官，现在是 Qorvo 功率器件解决方案的总经理。    

时任Qorvo IDP 总裁Philip Chesley 表示：“UnitedSiC加入我们的 IDP 事业部，显著扩大了我们在高功率应用领域的市场机会。此次收购使 Qorvo 能够提供高价值、一流的智能电源解决方案，涵盖电源转换、运动控制和电路保护应用。”    

Dries 博士表示：“作为 Qorvo 的一部分，我们的团队很高兴能够扩展我们的 SiC 产品组合，并继续以速度和规模构建业务，努力通过业界最高性能的设备加速 SiC 的采用。我们的 SiC 技术，加上 Qorvo 互补的可编程电源管理产品和世界一流的供应链能力，使我们能够在高级应用中提供卓越的电源效率水平。”    

当时新闻稿指出，United Silicon Carbide 的产品组合现在涵盖 80 多种 SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件。基于独特的共源共栅配置，最近发布的第 4 代 SiC FET 的额定电压为行业领先的 750V 和 5.9 毫欧RDS(on)，实现了对 EV 充电器、DC-DC 转换器和牵引驱动器至关重要的 SiC 效率和性能的新水平，以及电信/服务器电源、变速电机驱动器和太阳能光伏 (PV) 逆变器。

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