发布时间:2023-02-7 阅读量:928 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
· 采用14mm x 14mm FBGA封装的AS5911是系统级封装解决方案,可对256个光电二极管输出进行电流数字转换;
· 1.25mW的每通道功耗最大限度地减少了CT探测器的自热,降低了热管理要求;
· 出色的功率噪声比性能有助于下一代CT扫描仪实现更高成像质量;
· AS5911 ADC将在下一代高性能医疗CT扫描仪和安检机中发挥关键作用,这些设备要求优异性能并降低复杂性。
中国 上海,2023年2月7日——全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗宣布,推出一款256通道模拟数字转换器AS5911,用于高性能计算机断层扫描(CT)设备中实现光电二极管阵列信号的数字化。
艾迈斯欧司朗医学成像高级产品经理Josef Pertl表示:“AS5911在当今高端CT探测器专用ADC领域具有全面优势,体积更小、功耗更低、性能和集成度更高,更方便系统设计人员使用。设备制造商使用AS5911可以降低多种尺寸CT探测器模块的复杂性,包括四边可拼接CT探测器。它提供出色的功率噪声比性能,有助于下一代CT扫描仪实现更高的成像质量。这有助于医务人员做出正确诊断,最终为患者带来更好的诊疗结果。”
AS5911是一种系统级封装解决方案,采用14mm x 14mm FBGA封装,可同时对CT探测器中256个光电二极管输出进行电流数字转换。
AS5911比当前常见的CT探测器专用ADC产品更小,占用空间更少,可集成到各种尺寸的探测器中,包括四边可拼接解决方案,这得益于缩减了外部物料清单(BOM)和嵌入式组件。AS5911通过集成LDO稳压器、参考电压、温度传感器、电源去耦电容器和片上校准功能,降低了系统复杂性。
功耗是AS5911的另一个显著优势。其功耗比市场上的现有产品低,在低功耗模式下,每通道功耗仅为1.25mW。其低功耗可促进CT扫描仪制造商推行温度稳定策略,最终提高系统性能并有望节省热管理方面的开支。
艾迈斯欧司朗专有的ADC架构具有零停滞时间,很好地兼顾了功率噪声性能。在低噪声模式下,输入电流范围为0.5µA时,输入参考噪声低于0.29fC。低噪声是高性能CT探测器的标志,对成像质量至关重要,特别是在低X射线剂量下。
AS5911具有针对偏置电压、线性度、偏置电荷和泄漏电流等参数的片上校准功能。这可以自动将光电二极管和前端设置在理想的工作点,对信号链进行偏置和非线性补偿。嵌入式自动校准功能减少了数据采集系统中的开发工作,支持使用需要较少计算能力的低成本FPGA。
内置诊断等功能以及在两种不同电源策略下自由操作设备的能力也有助于降低CT探测器模块设计的复杂性。该器件可在真正地接地模式和单模拟电源下工作。通过SPI兼容串行接口以及数字LVDS接口的数据输出模式,可配置满量程范围、电源模式和数字读出功能。
AS5911样品现已开始供货。评估板可直接从艾迈斯欧司朗获取,以进行性能测量。
随着汽车智能化、电动化浪潮加速,CAN收发器作为车载网络的核心通信接口,其可靠性与安全性成为产业链关注焦点。然而,国际局势的不确定性使得供应链自主可控需求迫在眉睫。川土微电子推出的CA-IF1044AX-Q1 CAN收发器,实现了从设计、晶圆制造到封测的全链条国产化,并通过欧洲权威机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证,成为兼具安全性与高性能的国产车规级解决方案。
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天,新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日,这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮,以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题,汇聚全球顶尖行业领袖,首次公开七大核心产品矩阵,展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力,为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上,台积电正式宣布其A14(1.4nm)工艺将于2028年量产,并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后,折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地,智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板,搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器,以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置,成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境,可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景,助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业,荷兰ASM国际(ASMI)近日发布2024年第一季度财报,展现强劲增长动能。财报显示,公司当季新增订单额达8.34亿欧元(按固定汇率计算),同比增长14%,显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破,同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。