传三星对手机存储芯片涨价20%

9月13日消息，据《韩国经济日报》12日引述业界消息报道称，三星最近与小米、OPPO、谷歌等智能手机品牌客户签署了的DRAM和NAND Flash芯片供应协议，价格比现有的合约价高出了10~20%。

一名消息人士说，“中国客户看好智能手机销售量、尤其是海外市场，因此同意三星的涨价要求。”

报道还表示，三星对自家Galaxy智能手机移动事业部供应的內存芯片，价格也打算调涨，以反应面向移动市场的存储芯片的涨价趋势。

业界观察人士表示，智能手机厂商的芯片库存，自2022年底芯片产业大幅减产后便开始持续降低。叠加三星、SK海力士、美光等头部的存储芯片厂商的持续减产，使得存储芯片供过于求的局面已经得到了缓解。

一名业界人士透露，存储芯片商的资本支出、硅晶圆产出，已较今年稍早预定的计划下砍过半。今年DRAM、NAND Flash的位元供给增长率可能会下降最多10%。在下游DRAM需求方面，受益于下半年智能手机新品发布的热潮，LPDDR5X等DRAM芯片价格也在逐渐上涨。在NAND Flash市场，下游客户也不再砍单、甚至开始下达更多订单。据报导，一家智能手机制造业者表示，虽然今年上半的智能手机出货量较去年同期下滑超过10%，但由于新机型需要较高的存储容量，智能手机厂商的NAND Flash芯片库存反倒减少了。

值得注意的是，本次大幅提价的三星已加大NAND闪存减产力度，预计到2023年底减产幅度将达50%。公司已在上半年将NAND闪存产量削减了20%。下半年以来，三星减产的步伐有所加快，已将NAND闪存产量缩减约40%。

同时，其他供应商预计也将跟进扩大四季度减产幅度，旨在加速库存去化。另据Omdia预计，2024年下半年三星DRAM月产量将保持在60万片，较目前水平进一步减少。

业内人士指出，相较于今年早些时候给出的年度计划，存储芯片制造商正着手进一步削减实际资本支出和晶圆投入量，降幅甚至超过50%。

在这种情况下，今年DRAM及NAND闪存位供应降幅或在10%之上。

随着龙头减产，存储市场拐点已隐隐显现，信达证券指出，前期存储原厂减产效应或已显现，库存去化效果明显，并且伴随着市场备货旺季到来，整体出货节奏加快，价格或已显现拐点，存储周期有望开启复苏。