重磅！国产碳化硅设备再获佳绩

近日，国产SiC设备又传来了振奋人心的消息：北京中电科电子装备有限公司的SiC晶锭和晶片减薄机实现了6/8英寸大尺寸和新工艺路线匹配的双技术突破。

据了解，该技术已经在SiC衬底制备段及器件背面减薄段实现了小批量应用，并且获得了头部企业的一致认可，而且新的减薄机协调SiC激光改质剥离切割技术，可以大幅度的降低SiC衬底成本。

碳化硅（SiC）是第三代半导体产业发展的重要基础材料。《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》提出，我国将加速推动以SiC、 GaN为主的第三代半导体新材料、新技术产业化进程。碳化硅产业发展被列入十四五规划以来，就一直处于风口浪尖状态。

产业和政策共同拉动碳化硅技术的发展，其能够在广泛的应用中提供显著的性能，同时与传统硅技术相比，减少了提供同等性能所需的能量和物理空间。碳化硅部署在各种各样的使用场景中，SiC适合高功率和高频率应用场景，如智能电网、工业控制、新能源汽车、储能和充电桩等行业。

在智能电网领域，传统电网正向智能电网转型，智能化电网设备以及优良器件的应用是实现集智能、灵活、互动、兼容、高效等多功能于一体的关键。碳化硅功率器件在高温下具有较高的稳定性与可靠性，可以确保电力系统的稳定运行。

在工业控制中，基于SiC的功率半导体器件可在高温、高压、高频、强辐射等极端环境下工作，性能优势突出。不但可以降低驱动器的体积重量和损耗、减少音频噪声，还能提高功率密度和电机相应性能，其独特的性能使其成为大功率工业驱动器中的电力电子材料的首选。

在新能源汽车领域，碳化硅功率器件可以提供更高功率密度和更高的效率，从而提高电池续航里程和减少能源消耗。对于新能源汽车来说，SiC具有高性能尺寸比、耐高温、抗辐射等优势，能够满足对电机驱动系统的需求，帮助系统减少尺寸、降低重量、提高系统可靠性。

在储能和充电桩中，SiC技术能极大地降低储能应用成本，储能系统中包含了电源、DC/DC转换器、逆变器等等，碳化硅技术在这种配置下的电源模块中可以达到减少成本、重量、尺寸的目的，同时还可以提高电源模块的效率。SiC能够承受更高的电压（1700V到2000V），可以实现对超级快充功能的支持，从而可以提高能量转换效率并减小产品体积。

随着国内新能源市场的迅猛发展，碳化硅功率器的需求呈井喷式爆发，其高效率、高稳定、高可靠等特性可以满足充电桩的需求。目前来看，特斯拉等国外公司已经开始大规模布局碳化硅车型，而国内的厂商也在迅速跟进，以比亚迪为代表的整车厂商已经开始全面布局，将碳化硅技术应用到充电桩以及整车中。充电桩也有越来越多的新企业加入到了这个市场中，市场的容量在不断地扩大。

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