发布时间：2023-11-21 阅读量：1111 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】近日，冲电气工业株式会社（OKI）与信越化学宣布成功开发出一种新技术，该技术实现了GaN的垂直导电。如果采用新技术实现垂直GaN功率器件，与现有技术相比，将有可能将成本降低至十分之一左右。同时使得能够以低成本实现垂直GaN导电性和大直径晶圆，并有助于垂直GaN功率器件在社会上的实现和普及。
该技术使用OKI的CFB（晶体薄膜键合）技术，从信越化学特殊改进的QST（Qromis衬底技术）基板上仅剥离氮化镓（GaN）功能层，并将其粘合到不同材料的基材上。
GaN功率器件因兼具高频率与低功耗特性而备受关注，例如在需要1800V以上高击穿电压的功率器件、Beyond5G高频器件，以及高亮度micro-LED显示器。值得一提的是，垂直GaN功率器件有望延长电动汽车的续航里程并减少充电次数，预计相关需求将大幅增长。然而，制造垂直GaN功率器件时存在两个主要挑战：
● 必须增加晶圆直径以提高生产率；
● 必须通过垂直导电率来实现大电流控制。
对于在传统硅衬底上形成GaN的硅基GaN来说，硅和GaN的热膨胀系数显着不同，导致由于拉应力而导致较大的翘曲。QST衬底具有与GaN相匹配的热膨胀系数，可以减少翘曲并抑制裂纹，从而可以外延生长大直径、高质量的厚膜GaN。
另一方面，OKI的CFB技术可以从QST衬底上仅剥离GaN功能层，同时保持高器件特性。GaN晶体生长所需的绝缘缓冲层可以被去除并通过允许欧姆接触的金属电极接合到各种衬底上。将这些功能层粘合到具有高散热性的导电基板上将实现高散热性和垂直导电性。
此外，即使使用CFB技术去除GaN功能层后，QST衬底也可以通过一定的处理重新用作QST衬底，尽管它不会保持完整。目前正在开发回收该板的技术，如果实现重复利用，将有可能进一步降低成本。OKI和信越化学的联合技术解决了上述两大挑战，为垂直GaN功率器件的社会化铺平了道路。
在智能驾驶飞速发展的时代，5.9GHz频段的C-V2X（蜂窝车联网）和5.8GHz频段的DSRC（专用短程通信）已成为车辆与环境交互的关键神经。然而，GHz频段内日趋复杂的电磁环境却为通信灵敏度与可靠性带来严峻挑战。传统噪声抑制元件在应对高频宽范围干扰时力不从心，高性能宽频噪声解决方案成为行业急需突破的技术瓶颈。村田制作所（Murata）以其深厚的材料技术积淀和创新设计，适时推出了革命性的片状铁氧体磁珠——BLM15VM系列，直击高频车联网通信的核心痛点。
据彭博社6月20日报道，微软计划于今年7月启动大规模组织结构调整，预计裁员数千人，主要集中在全球销售与客户服务部门。此举引发行业对科技巨头战略重心迁移的高度关注，尤其引人瞩目的是其裁员节省的资金流向——微软官方确认将在新财年向人工智能基础设施领域投入约800亿美元。
在AI服务器爆发式增长、新能源系统复杂度飙升的产业背景下，传统控制芯片正面临三重挑战：碳化硅/氮化镓器件的高频开关控制需求、功能安全标准升级、以及机器学习边缘部署的实时性要求。Microchip最新推出的dsPIC33AK512MPS512与dsPIC33AK512MC510数字信号控制器（DSC），通过78ps PWM分辨率与40Msps ADC采样率的核心突破，为高精度实时控制树立了新基准。
根据权威机构IDC最新发布的《全球智能家居设备季度追踪报告》，2025年第一季度全球智能扫地机器人市场迎来强劲开局，总交付量达到509.6万台，较去年同期增长11.9%，连续第二个季度实现超过20%的增长率。市场活力显著提升，展现出强劲复苏势头。
随着ADAS渗透率突破50%（据Yole 2023数据），车载传感器供电与数据传输架构面临革命性变革。传统双线分立设计（电源线+信号线）导致线束占整车重量超3%，且故障率居高不下。TDK株式会社推出的ADL8030VA系列PoC专用电感器，通过单元件高集成方案重构滤波电路，为智能驾驶系统提供空间与可靠性双重优化路径。
