发布时间：2023-11-21 阅读量：1062 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】近日，冲电气工业株式会社（OKI）与信越化学宣布成功开发出一种新技术，该技术实现了GaN的垂直导电。如果采用新技术实现垂直GaN功率器件，与现有技术相比，将有可能将成本降低至十分之一左右。同时使得能够以低成本实现垂直GaN导电性和大直径晶圆，并有助于垂直GaN功率器件在社会上的实现和普及。
该技术使用OKI的CFB（晶体薄膜键合）技术，从信越化学特殊改进的QST（Qromis衬底技术）基板上仅剥离氮化镓（GaN）功能层，并将其粘合到不同材料的基材上。
GaN功率器件因兼具高频率与低功耗特性而备受关注，例如在需要1800V以上高击穿电压的功率器件、Beyond5G高频器件，以及高亮度micro-LED显示器。值得一提的是，垂直GaN功率器件有望延长电动汽车的续航里程并减少充电次数，预计相关需求将大幅增长。然而，制造垂直GaN功率器件时存在两个主要挑战：
● 必须增加晶圆直径以提高生产率；
● 必须通过垂直导电率来实现大电流控制。
对于在传统硅衬底上形成GaN的硅基GaN来说，硅和GaN的热膨胀系数显着不同，导致由于拉应力而导致较大的翘曲。QST衬底具有与GaN相匹配的热膨胀系数，可以减少翘曲并抑制裂纹，从而可以外延生长大直径、高质量的厚膜GaN。
另一方面，OKI的CFB技术可以从QST衬底上仅剥离GaN功能层，同时保持高器件特性。GaN晶体生长所需的绝缘缓冲层可以被去除并通过允许欧姆接触的金属电极接合到各种衬底上。将这些功能层粘合到具有高散热性的导电基板上将实现高散热性和垂直导电性。
此外，即使使用CFB技术去除GaN功能层后，QST衬底也可以通过一定的处理重新用作QST衬底，尽管它不会保持完整。目前正在开发回收该板的技术，如果实现重复利用，将有可能进一步降低成本。OKI和信越化学的联合技术解决了上述两大挑战，为垂直GaN功率器件的社会化铺平了道路。
随着汽车智能化、电动化浪潮加速，CAN收发器作为车载网络的核心通信接口，其可靠性与安全性成为产业链关注焦点。然而，国际局势的不确定性使得供应链自主可控需求迫在眉睫。川土微电子推出的CA-IF1044AX-Q1 CAN收发器，实现了从设计、晶圆制造到封测的全链条国产化，并通过欧洲权威机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证，成为兼具安全性与高性能的国产车规级解决方案。
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天，新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日，这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮，以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题，汇聚全球顶尖行业领袖，首次公开七大核心产品矩阵，展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力，为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上，台积电正式宣布其A14（1.4nm）工艺将于2028年量产，并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后，折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地，智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板，搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器，以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置，成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境，可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景，助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业，荷兰ASM国际（ASMI）近日发布2024年第一季度财报，展现强劲增长动能。财报显示，公司当季新增订单额达8.34亿欧元（按固定汇率计算），同比增长14%，显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破，同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
