发布时间:2024-08-23 阅读量:2436 来源: 我爱方案网 作者: wenwei
【导读】国网新规要求DTU采用双核设计,区分实时核和管理核。实时核需要MCU保证完成保护和高速采样,管理核需要高性能处理器实现状态检测数据接收和分析及通信。先楫高性能MCU HPM6000 系列产品,支持单核双核RISC-V架构,凭借其高算力、高可靠性、低功耗、高集成性等优势特点,可满足电网配变电终端新标准要求。而电源系统是确保能够为DTU的控制单元、通信单元和开关单元提供持续的电力支持,特别是在外部输入断电的情况下,仍能不间断地为负载供电,这保证了DTU在电力故障或中断时仍能正常工作,及时响应和处理,提高供电的可靠性和效率。
即刻扫码!获取方案规格书和主控IC套片信息
电力DTU用MCU选型要点
电力DTU(Distribution Terminal Unit)作为电力系统中重要的数据采集和监控设备,其性能和功能直接关系到电力系统的稳定运行。在设计和选择MCU时,需要考虑以下几个关键因素:
(1)实时性
MCU需要保证DTU的实时性,以完成保护和高速采样的任务。这要求MCU具有快速响应的能力,确保在关键时刻能够迅速执行指令。
(2)高速采样
由于电力系统需要实时监测各种参数,如电压、电流等,因此MCU需要支持高速采样,以获取准确的实时数据。
(3)通信功能
MCU需要具备强大的通信能力,支持多种通信协议和接口,以便与上级管理系统进行有效的数据传输。
(4)状态监测数据接收和数据分析功能
MCU需要能够接收和分析处理状态监测数据,支持就地化数据存储与决策分析,这要求MCU具有强大的数据处理和分析能力。
此外,为了满足电力系统的特殊需求,MCU还需要支持多种安全特性,如加密算法和北斗对时等,以确保数据的安全性和准确性。同时,考虑到电力系统的运行环境可能极为苛刻,MCU还需要具备高可靠性和稳定性,能够在极端条件下长时间稳定工作。
方案推荐:基于先楫HPM6750IVM的DTU/FTU最小系统核心板方案
考虑到系统的秒级响应要求、电网对自主可控的要求等因素,选用了先楫半导体的高性能MCU HPM6750IVM设计了一款DTU/FTU最小系统核心板,MCU为BGA289封装,多达195个GPIO;2M的SRAM,灵活可选容量的外挂FLASH;内部DSP单元,支持SIMD和DSP指令;RISC-V双内核完全自主可控,主频816M,创下了高达9220CoreMark和高达4651DMIPS的MCU性能记录。芯片工作温度在-40℃~105℃,满足电力行业苛刻工作环境。
方案优势
• 双千兆以太网:根据标准要求,扩展了一路SPI转以太网接口
• 双USB接口:支持扩展网口与外挂4G
• 17路串口:满足串口通信需求
• 4路高速SPI:支持外挂加密芯片、ADC芯片、SPI转以太网芯片
• 4路IIC:支持外挂实时时钟、温湿度传感器等
• 1个16bit ADC和3个12bit ADC:支持模拟量的采集
应用场景
新能源、电力配网DTU、配电柜、电池化成分容下位机等场景。
电源选型推荐
DTU系统的电源解决方案,主要考虑到不间断供电的问题,所以需要双电源供电的一个供电形式,主流的供电方式一般是有两部分组成,一部分是大功率300W或者500W的AC/DC充电电源,这个电源一般两路输出,一路给后级的板卡进行供电,一方面给后级的蓄电池或者是超级电容进行充电;另外的部分就是蓄电池或者超级电容,这个主要是在市电断电的情况下,保证整个系统的正常运行。
另外,电网对于EMC方面的要求比较苛刻,特别是浪涌方面,需要完全满足4级的要求。主电源和蓄电池都掉电时,系统掉电保持时间500mS以上。
如果铅酸电池的电压值为48V,推荐选用金升阳MBP500-2A54D54的接线式电源,它具备电池充电功能,工业级工作温度:-40℃~+70℃;2500VAC 高隔离电压;最大瞬时过功率达540W;优越的EMC性能;接线式安装。
如果铅酸电池的电压值为24V,可以选用金升阳的MBP300-2A27D27的接线式电源,可对24V的铅酸电池充电,稳态功率达到351W。
遥测系统的供电需要高隔离电源的供电,主要是考虑到端口浪涌的问题;另外这个电源同时需要满足24V与48V输入供电的要求,推荐金升阳的URF4824LP-10WR3。它具有3000VDC的高隔离电压;18-75V的超宽输入范围;空载功耗低至0.12W;工作温度:-40℃~+85℃;输入欠压保护,输出过压、短路、过流保护;裸机满足CISPR22/EN55022 CLASS A。
主控板的电源,同样需要满足兼容24V与48V输入的电压范围,一方面需要24V给通信模块供电,另外还需要5V给主板进行供电,所以这里推荐两款DC/DC电源模块,分别为URB4824LD-30WHR3与URB2405LD-20WR3,选择前级电源功率范围30-50W之间,选择后级电源功率范围在10W~20W之间。
URB4824LD-30WHR3具备1500VDC隔离电压,18-75V输入电压范围,24V稳定电压输出30W电源输出功率,效率高达90%,自带散热片封装,具备UL与CE认证,空载功耗低至0.14W。URB2405LD-20WR3具备1500VDC隔离电压,9-36V输入电压范围,5V稳定电压输出,20W电源输出功率,40~85°C的工作温度范围,效率高达90%,具备UL与CE认证。
扫码可申请免费样片及产品技术规格书
推荐阅读:
2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。