发布时间:2025-03-7 阅读量:3786 来源: 发布人: lina
【导读】热电偶因为其高测量精度、价格经济、容易获得以及较宽的温度测量范围等特点而在工业领域得到普遍应用。它由焊接在一起的两种不同的金属或金属合金线(通常称为热端)组成。热电偶输出电压是两个线端(另一端通常称为冷端)的电压差,冷端必须保持在已知温度。热电偶电压是Seebeck (1921年左右)、Peltier (1834年左右)和Thompson (1851年左右)效应的结合产物。
本文介绍的电路在靠近温度传感器的位置对热电偶输出进行数字转换,与在数字化之前使弱信号通过长电缆传输的方案相比,该方案能够将噪声降至最低。
热电偶因为其高测量精度、价格经济、容易获得以及较宽的温度测量范围等特点而在工业领域得到普遍应用。它由焊接在一起的两种不同的金属或金属合金线(通常称为热端)组成。热电偶输出电压是两个线端(另一端通常称为冷端)的电压差,冷端必须保持在已知温度。热电偶电压是Seebeck (1921年左右)、Peltier (1834年左右)和Thompson (1851年左右)效应的结合产物。
热端和冷端这两个名词源于应用历史。事实上,根据具体应用,冷端温度也有可能高于热端。这种情况下,热电偶输出相反极性的电压。由此可见,热电偶测量的是热端与冷端温度之差,而非冷端的绝对温度。
不同金属或合金热电偶对应的输出电压已经制作成标准表格。用大写字母表示标准金属对,例如,K代表镍镉合金热电偶,表中列出的数据假设冷端温度为0°C。
为了获得热端的绝对温度,必须测量冷端温度并相应调整热电偶输出。这种技术称为冷端补偿。19世纪中期,当热电偶刚刚开始使用时,绝对温度测量需要将冷端保持在冰和蒸馏水混合达到平衡后的温度,以建立一个真正的0°C参考点。
热电偶温度传感器需要使用与热电偶导线相同材料的特殊电缆和连接器。因此,市场上提供的各种封装、体积和种类的商用化热电偶同时也给出完整的电缆、连接器和配件选型。
冷端等温线位于热电偶信号处理模块的输入端,通常安装在高热导率材料制成的底板上。铜的热导率为381W/m°K (无论摄氏度,还是开尔文温度,每度都具有相同幅度的变化)。输入连接必须是电气隔离,但需要与底板保持导热。理想情况下,整个信号处理模块应该保持在同等温度环境。
信号处理电路由低压直流放大器(热电偶信号范围为µV/°C)、温度传感器、冷端补偿电路、内置基准ADC、热电偶开路检测器、报警指示和数字输出接口组成。所有这些功能都集成在小尺寸IC内,例如:MAX6674和MAX6675,只需要外部连接热电偶和电源。串口输出代表热电偶检测点温度的数据。
MAX6674/MAX6675内部热电偶数字转换电路与镍镉合金(K型)热电偶成比例。MAX6674测量范围为0至+128°C,分辨率为0.125°C;MAX6675测量范围为0至1024°C,分辨率为0.25°C。两款IC均通过SPI™兼容接口与微控制器或类似的本地智能电路连接。如果检测点距离控制器较远,应在检测点附近对热电偶信号进行数字化处理。
与其它低压电路相同,热电偶信号处理电路对EMI非常敏感。热电偶引线通常暴露在EMI环境中(引线拾取的干扰噪声等级与引线长度成正比)。EMI增大了接收信号的不确定性,降低温度测量的精度。对于这种环境,使用特殊的热电偶连接电缆价格昂贵,如果选用其它电缆则很难确定实际环境的测试温度。
为了使噪声降至最小,可以在检测点附近采用一个控制电路,靠近检测点增加一个远端控制电路以提供本地智能化管理,引入复杂信号的滤波和电缆屏蔽。图1提供了一个较好的设计方案,在靠近检测点的位置对热电偶输出进行数字化。
图1. 在3000英尺电缆的远端提供电源,MAX6674/MAX6675在靠近检测点的位置量化热电偶输出,使EMI降至最小。
通过本地脉冲时序发生器(IC2和IC3)驱动MAX6674/MAX6675的SPI接口,IC2、IC3强制MAX6674/MAX6675以4800波特率、每秒钟四个字符产生异步串行输出数据,字符结构为:1位起始位、11位数据和1位停止位(MAX6675采用13位数据位)。对于MAX6674,11位数据包括10位表示温度数据的直接二进制数(MSB在前)、1位热电偶开路报警位,MAX6675提供12位数据和1位报警。
稳定的晶体振荡器确保精确的数据传输波特率。为保证正确的电路操作,热电偶检测点必须与电路保持电气隔离,MAX6674/MAX6675必须在任何时间保持在-20°C至+85°C工作温度范围内。
电路通过双绞线连接远端电源和数据接收器,通过双绞线电缆为电路供电并将数据传输到数据接收端。温度测量由MAX6674/MAX6675的内部10位ADC实现,并将数据串行发送到电缆上。图2所示温度数据由MAX6674产生,并通过3000英尺的双绞电缆传输量化后的数据。这些数据表明热电偶处于较好的工作状态,测量温度为21.875°C。
图2. 在图1的数据接收器A、B端接收到的串行数据字,数据代表电缆另一端的热电偶测量温度为21.875°C。
文章来源:亚德诺半导体
免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。
推荐阅读:
新型Cyllene 2 IC以升级红外遥控应用的VSOP383xx系列前置放大电路
基于以NXP产品为主的汽车UWB Digital-Key Kit应用方案
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据,2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元,在全球市场占比提升至22%,展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破,在销售额(10.9%)和出货量(11.2%)两大核心指标上均跻身市场前两强,标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露,该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司(SSS)实施部分分拆,计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段,同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
在2025上海国际车展上,移远通信推出的全新车载蜂窝天线补偿器引发行业关注。该产品通过双向动态补偿、微秒级频段切换及混频电路集成等核心技术,解决了车载通信中长期存在的射频链路损耗难题,为智能网联汽车提供稳定高效的通信支持。本文将从技术优势、竞争分析、应用场景及市场前景等多维度解读这一创新方案。
在全球DRAM市场格局加速重构的背景下,三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点,转而集中资源开发基于垂直通道晶体管(VCT)架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示,三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产,较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构,将存储单元面积缩减30%,并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题,被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
2025年4月28日,京东方科技集团股份有限公司(以下简称“京东方”)发布2025年第一季度财报,以多项核心经营指标的历史性突破,彰显其作为全球半导体显示龙头企业的强劲发展动能。报告期内,公司实现营业收入505.99亿元,同比增长10.27%,创下一季度收入新高;归属于上市公司股东的净利润达16.14亿元,同比大幅增长64.06%,扣非净利润13.52亿元,同比飙升126.56%。这一业绩表现得益于其“屏之物联”战略的深化落地,以及“1+4+N+生态链”业务架构下各板块的协同创新。