发布时间：2025-03-24 阅读量：1041 来源: 安森美 发布人: wenwei
【导读】中国上海，2025年3月18日——全球半导体领导者安森美(onsemi)今日推出颠覆性EliteSiC SPM 31系列智能功率模块，该产品采用第三代M3碳化硅技术，在1200V平台实现革命性突破。相较第七代IGBT方案，新型IPM模块将70%负载工况下的系统能耗直降52%，功率密度提升300%，同时通过UL认证的安全架构为AI数据中心冷却系统、工业变频驱动等关键领域提供全场景解决方案。该产品线覆盖40A-70A电流区间，完美补全现有IGBT产品矩阵，使客户在保持电路设计兼容性的同时，实现能耗成本与物理空间的双重压缩。
EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美 IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖 15A 至 35A 的低电流）形成互补，提供从 40A 到 70A 的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。
随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。
随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对 EC 风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。 SiC IPM 可确保 EC 风机以更高能效可靠运行。
与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC 风机需要比现有较大的 IGBT 解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前 IGBT 功率集成模块 (PIM) 的系统解决方案相比，在 70% 负载时的功率损耗为 500W，而采用高效的 EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个 EC 风机的年能耗和成本降低 52%。
全集成的 EliteSiC SPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路 (LVIC)、六个 EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器（电压温度传感器 (VTS) 或热敏电阻）。 该模块基于业界领先的 M3 SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用 SPM 31 封装提高短路耐受时间 (SCWT) ，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET 采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。
此外，EliteSiC SPM 31 IPM 还包括以下优势：
● 低损耗、额定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。
● 内置欠压保护（UVP），防止电压过低时损坏设备。
● 作为 FS7 IGBT SPM 31 的对等产品，客户可以在使用相同 PCB 板的同时选择不同的额定电流。
● 获得UL认证，符合国家和国际安全标准。
● 单接地电源可提供更好的安全性、设备保护和降噪。
● 简化设计并缩小客户电路板尺寸，这得益于：
o 栅极驱动器控制和保护
o 内置自举二极管（BSD）和自举电阻（BSR）
o 为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管
o 集成温度传感器（由 LVIC 和/或热敏电阻输出 VTS）
o 内置高速高压集成电路
作为碳化硅功率集成领域的里程碑式突破，EliteSiC SPM 31 IPM通过内置六路MOSFET桥臂与智能保护系统，重新定义了工业电驱系统的能效标准。其独特的单接地电源架构与自举电路集成设计，不仅将PCB布局尺寸缩减40%，更赋予系统设计者在控制算法层面的深度优化空间。在双碳战略驱动下，该模块每年可为单个EC风机节约逾3000千瓦时电力，相当于减少2.1吨二氧化碳排放。安森美功率方案事业部副总裁Asif Jakwani表示："我们正加速推进SiC技术在各功率层级的渗透，未来三年将在全球主要数据中心实现该模块的规模化部署。"
推荐阅读：
安森美Vision China 2025首发智能图像感知矩阵，智启工业机器视觉新范式
Molex MX-DaSH连接器：汽车电子架构的革新者，开启紧凑型连接新纪元
近年来，汽车产业正经历智能化转型，高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶技术对高性能芯片的需求激增。据市场研究机构预测，未来五年，全球汽车芯片市场将以年均15%以上的速度增长。面对这一趋势，三星电子宣布与汽车芯片巨头英飞凌（Infineon）和恩智浦（NXP）达成战略合作，共同开发基于5nm制程的下一代汽车半导体解决方案。
6月5日，全球半导体巨头博通（Broadcom）发布第三季度业绩预测，预计营收将达到约158亿美元，略高于华尔街分析师平均预期的157.1亿美元。这一增长主要得益于其网络芯片和定制化AI计算芯片的强劲需求。然而，由于市场此前对AI芯片业务的增长预期更高，博通股价在盘后交易中下跌4%，显示出投资者对业绩的谨慎态度。
近日，加拿大半导体IP公司Alphawave Semi宣布，其基于台积电2nm（N2）工艺的UCIe IP子系统成功流片，并支持高达36G的Die-to-Die（D2D）数据传输速率。该IP与台积电的Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）先进封装技术深度集成，为下一代小芯片（Chiplet）架构提供了更高的带宽密度和可扩展性。
2025年6月5日，意法半导体（STMicroelectronics）宣布其ST67W611M1模块正式进入量产阶段。该模块集成了Wi-Fi 6（802.11ax）和低功耗蓝牙5.4（BLE 5.4）双模无线连接功能，专为STM32微控制器（MCU）生态系统优化设计。作为意法半导体与高通科技（Qualcomm Technologies）合作的首款产品，ST67W611M1旨在简化物联网设备的无线连接开发，降低技术门槛，并加速产品上市。
根据英国汽车制造商和贸易商协会（SMMT）数据，2024年5月，中国品牌在英国新车市场的市占率攀升至9.4%，较4月的7.7%显著提升。其中，比亚迪销量同比激增408%，MG（上汽集团旗下）、奇瑞（Omoda/Jaecoo）等品牌共同推动增长。与此同时，特斯拉英国销量同比下滑36%，市场份额持续萎缩。
