DRAM市场迎转折点：HBM量产带动价格止跌，多领域需求回暖支撑二季度行情

【导读】TrendForce集邦咨询最新报告显示，全球DRAM市场经历长期调整后，2025年第二季度将迎来关键转折。随着HBM3e 12hi规格产品进入量产阶段，叠加多领域需求复苏，预计当季DRAM整体均价有望实现3-8%的环比增长，常规DRAM价格跌幅收窄至0-5%，部分品类更将逆势上涨。

■ 企业级市场现结构性分化

在服务器领域，北美三大云服务商扩大通用服务器采购，中国云厂商加速AI服务器落地，双重驱动力推动DDR5需求激增。由于主要供应商将DDR4产能转向DDR5导致短期供给紧张，预计DDR5价格将止跌企稳，而DDR4跌幅亦低于预期。值得注意的是，英伟达新一代AI芯片B200/B300系列对HBM需求的持续攀升，正加剧原厂在传统DRAM与先进存储之间的产能调配难度。

■ 消费电子呈现差异化走势

移动DRAM市场受中国手机补贴政策刺激，高端机型占比提升带动LPDDR5X需求走强。尽管LPDDR4X因产能扩张维持供应充足，但主流厂商通过营造紧缺氛围，预计LPDDR5X价格将实现0-5%的环比上涨。PC端则因国际形势催生的提前备货潮，加速OEM库存去化，叠加三星、SK海力士等大厂的产能策略调整，DDR5供给受限与DDR4消费疲软形成对冲，整体价格预计与上季持平。

■ 新兴需求开辟增长空间

图形DRAM领域呈现技术迭代特征，GDDR7因新一代显卡备货需求启动，价格走势趋于平稳，而GDDR6在国产AI模型需求刺激下，跌幅收窄至3-8%。消费级DRAM则受益于全球通信基建升级，4G/5G基站扩建和光纤设备更新项目推动DDR4需求回暖，预计合约价环比微增0-5%，DDR3因库存压力缓解进入价格平稳期。

市场分析师指出，当前DRAM行业正经历三重变革：HBM技术突破带来的产能虹吸效应、AI算力需求引发的产品结构升级、地缘政治催生的供应链重组。尽管部分品类仍存价格压力，但库存去化接近尾声与新兴应用场景的拓展，标志着存储市场周期拐点的到来。建议投资者重点关注在HBM领域具备技术优势，且能灵活调配产能的头部厂商动态。

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