发布时间：2025-04-2 阅读量：332 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】全球存储巨头美光科技近日宣布实现技术突破，成为业界首个同步量产HBM3E高带宽内存与SOCAMM压缩内存模组的厂商。这两款专为AI数据中心打造的存储解决方案，正通过英伟达Blackwell超级芯片平台重塑算力边界。
双剑合璧破解AI算力瓶颈
美光此次推出的HBM3E 12H 36GB内存模组展现出惊人性能，其超过9.2Gb/s的引脚速度可提供1.2TB/s的恐怖带宽，相当于每秒传输300部4K电影的数据量。配合采用模块化设计的SOCAMM内存方案，相比传统RDIMM内存功耗降低40%，体积缩小达30%，在英伟达GB300超级芯片平台上形成「带宽+能效」双重优势组合。
全平台适配英伟达AI生态
这两款创新产品已深度整合至英伟达AI计算生态：SOCAMM专为GB300 Grace Blackwell超级芯片优化，而HBM3E系列则覆盖从HGX B200到B300全系平台。这种全栈式解决方案使美光成为英伟达Blackwell架构的核心存储供应商，可支撑NVL72等多GPU互联系统突破万亿参数大模型训练门槛。
存储技术驱动AI范式转移
美光科技CFO Mark Murphy透露，数据中心业务营收同比激增200%印证了AI算力需求的爆发。随着HBM3E产能爬坡，公司预计第三季度营收将突破85亿美元大关。行业分析师指出，美光通过3D堆叠技术将HBM存储密度提升50%，其「存算一体」解决方案正在改写AI服务器的设计规则。
在这场由生成式AI引发的算力军备竞赛中，美光凭借HBM3E与SOCAMM构建起存储技术的双重护城河。当英伟达GB200 NVL72系统搭载288颗HBM3E芯片时，其聚合带宽将达到惊人的345TB/s——这相当于同时处理全人类每天产生的数据总量，标志着AI基础设施正式进入EB级存储时代。
推荐阅读：
AMD斥资49亿美元收购ZT Systems 加速AI基础设施战略布局
东芝全球首发车规级CXPI收发芯片TB9032FNG，破解新能源车线束冗余难题
2025-2026定制化HBM技术爆发：两大路线引领AI算力革命，台积电联盟重塑供应链
在工业自动化、新能源储能及多节电池管理系统中，高精度电流检测是保障系统安全与能效的核心环节。传统检测方案常受限于共模电压范围窄、抗浪涌能力弱、温漂误差大等痛点。国产RSA240系列电流检测芯片的推出，以**-5V~100V超宽共模输入范围和0.1%级增益精度**，为高压场景提供了突破性解决方案。
在工业4.0浪潮推动下，液位测量作为过程控制的核心环节，其精度与可靠性直接影响化工、能源、汽车等关键领域的生产安全。传统霍尔传感器受限于功耗高、温漂大、响应慢等瓶颈，难以满足智能设备对实时性与稳定性的严苛要求。多维科技推出的TMR134x磁开关传感器芯片，通过隧道磁阻（TMR）技术突破传统局限，为高精度液位监测提供新一代解决方案。
英飞凌科技股份公司近日宣布，其基于300mm（12英寸）晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体量产技术已取得实质性突破，相关生产流程全面步入正轨。根据规划，首批工程样品将于2025年第四季度交付核心客户，标志着英飞凌成为全球首家在现有大规模制造体系内实现300mm GaN工艺集成的IDM（垂直整合制造）厂商。
日本半导体制造装置协会（SEAJ）7月3日发布修订报告，预计2025年度（2025年4月-2026年3月）日本半导体设备销售额将达48,634亿日元，同比增长2.0%，连续第二年刷新历史纪录。2024年度销售额同比暴涨29.0%至47,681亿日元，首次突破4万亿日元大关。更关键的是，2026年度销售额预计跃升至53,498亿日元（约合5.3万亿日元），年增10.0%，成为史上首个跨越5万亿日元大关的年度；2027年将进一步增长至55,103亿日元，实现连续第四年创新高。
市场研究机构Counterpoint Research最新报告显示，2025年第二季度中国智能手机市场同比小幅增长1.5%。这一温和回升主要由华为与苹果两大品牌驱动，其中华为以12%的同比增速领跑市场，时隔四年重回季度出货量第一宝座，而vivo则以9%的跌幅成为前五厂商中唯一下滑品牌。
