美光全球首发HBM3E与SOCAMM内存方案，联手英伟达掀起AI算力革命

【导读】全球存储巨头美光科技近日宣布实现技术突破，成为业界首个同步量产HBM3E高带宽内存与SOCAMM压缩内存模组的厂商。这两款专为AI数据中心打造的存储解决方案，正通过英伟达Blackwell超级芯片平台重塑算力边界。

双剑合璧破解AI算力瓶颈

美光此次推出的HBM3E 12H 36GB内存模组展现出惊人性能，其超过9.2Gb/s的引脚速度可提供1.2TB/s的恐怖带宽，相当于每秒传输300部4K电影的数据量。配合采用模块化设计的SOCAMM内存方案，相比传统RDIMM内存功耗降低40%，体积缩小达30%，在英伟达GB300超级芯片平台上形成「带宽+能效」双重优势组合。

全平台适配英伟达AI生态

这两款创新产品已深度整合至英伟达AI计算生态：SOCAMM专为GB300 Grace Blackwell超级芯片优化，而HBM3E系列则覆盖从HGX B200到B300全系平台。这种全栈式解决方案使美光成为英伟达Blackwell架构的核心存储供应商，可支撑NVL72等多GPU互联系统突破万亿参数大模型训练门槛。

存储技术驱动AI范式转移

美光科技CFO Mark Murphy透露，数据中心业务营收同比激增200%印证了AI算力需求的爆发。随着HBM3E产能爬坡，公司预计第三季度营收将突破85亿美元大关。行业分析师指出，美光通过3D堆叠技术将HBM存储密度提升50%，其「存算一体」解决方案正在改写AI服务器的设计规则。

在这场由生成式AI引发的算力军备竞赛中，美光凭借HBM3E与SOCAMM构建起存储技术的双重护城河。当英伟达GB200 NVL72系统搭载288颗HBM3E芯片时，其聚合带宽将达到惊人的345TB/s——这相当于同时处理全人类每天产生的数据总量，标志着AI基础设施正式进入EB级存储时代。

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