SK海力士突破第六代DRAM量产门槛！1c制程良率飙升至80%，HBM领域仍需等待

【导读】全球存储芯片巨头SK海力士近日在先进制程领域取得重大突破。据韩国媒体《Hankooki》4月9日报道，该公司第六代10nm级（1c）制程DRAM的良率已从2024年下半年的60%大幅提升至80%，正式跨过量产门槛，标志着新一代存储芯片技术迈入规模化生产阶段。

技术革新驱动量产提速

SK海力士于2023年8月率先发布全球首款基于1c制程的DDR5 DRAM芯片。该技术作为第五代1b制程的延伸版本，通过微缩化工艺优化，在芯片生产效率、运行速度和综合性能上实现显著提升。目前，除DDR5外，新一代LPDDR6移动内存和GDDR7显存也将采用这一制程。行业分析指出，80%-90%的良率通常被视为DRAM量产的经济临界点，此次突破意味着SK海力士已掌握成熟的生产控制能力。

HBM领域应用仍需时间沉淀

尽管1c制程进展迅速，但在当前火热的HBM（高带宽内存）市场，SK海力士仍选择"稳中求进"。据供应链消息，计划于今年量产的HBM4产品将继续沿用更成熟的第五代1b制程。业内人士分析，HBM因3D堆叠结构和异构集成的高复杂性，对制程稳定性和封装技术要求更为苛刻。SK海力士此举或为保障HBM产品在AI服务器等高端市场的可靠性，预计1c制程渗透至HBM领域仍需1-2年技术验证期。

市场格局或迎新一轮洗牌

随着1c制程DRAM的量产，SK海力士有望进一步巩固其在DDR5市场的领先地位。TrendForce数据显示，截至2024年Q1，该公司在全球DRAM市场的份额已达33.8%，仅次于三星电子。此次技术突破或将加速存储芯片价格下行周期，推动PC、服务器等终端产品升级换代。不过，美光、三星等竞争对手的1c制程研发进度亦受业界密切关注，先进制程竞赛正进入白热化阶段。

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