发布时间:2025-04-11 阅读量:2728 来源: 我爱方案网 作者: 扬兴晶振
【导读】在各种电子设备中,晶振作为时钟信号的核心元件,其精度直接决定了系统的稳定性。由于石英晶体及周边电路元件受温度变化影响会发生热膨胀和参数漂移,晶振的频率往往随温度波动而偏移,从而影响整体性能。
TCXO温补晶振:为高精度而生
在各种电子设备中,晶振作为时钟信号的核心元件,其精度直接决定了系统的稳定性。由于石英晶体及周边电路元件受温度变化影响会发生热膨胀和参数漂移,晶振的频率往往随温度波动而偏移,从而影响整体性能。
对于5G通信、GPS定位及工业及军事设备等对频率稳定性要求极高的应用,温度变化带来的频率漂移是一大挑战。为此,TCXO应运而生。
TCXO:温度补偿晶体振荡器
温度补偿晶体振荡器(TCXO)是一种是一种通过内置温度补偿电路来减少环境温度变化对振荡频率影响的石英晶体振荡器。
其内部的热敏补偿网络能够感测环境温度的变化,并调整施加在晶体上的电压,以抵消温度变化带来的频率漂移,从而提高振荡器的频率稳定度。
高精度温补振荡器:YSO510TP
TCXO温补晶振的优势
动态温度感知,超高频率稳定度
TCXO通过内置温度补偿网络(集成温度传感器与补偿电路),构建出一套“动态频率校准系统”,从而使得TCXO在工作温度范围内保持极高的频率稳定度。
在-40℃ ~ +85℃温度范围内:
普通晶振的频率稳定度通常在 ±30PPM ~ ±50PPM
TCXO的频率稳定度可达到 ±0.1PPM~ ±2.5PPM,极大地提升了时钟信号的稳定度
YXC TCXO产品实测数据
(频率稳定度≤±2.5PPM@-40~85℃)
TCXO温补晶振典型应用
通信基站(5G/4G)
基站间对时钟信号的同步要求严格,误差需达到纳秒级;TCXO的±0.1ppm高稳定度确保信号精准同步,避免通话断线或数据传输冲突。
卫星导航(GPS/北斗)
卫星导航对于准确度的要求极高,可接受误差范围小,TCXO抗温漂能力能够保障极端环境下定位不漂移,从而满足精确导航定位。
工业自动化(工业机器人)
多设备协同作业要求精确时钟同步,TCXO的高可靠性与精确频率确保信号准确同步,降低机械臂碰撞风险并减少运行误差。
高端消费电子(智能手机/无人机)
智能手机/无人机等设备依赖TCXO的温度补偿功能与高频率精度,保障GPS/5G信号的稳定传输,从而提升整体性能。
TCXO温补晶振选型指南
温补晶振选型表
本公司提供超高频率稳定度、微型化、低相噪、低功耗、超高频的TCXO产品组合。
1、单端TCXO V.S 差分TCXO
单端TCXO:YXC提供CMOS与Clipped sine wave(削峰正弦波) 两类输出方式;常规温度稳定性为±2.5PPM(YSO510TP),温度稳定性最高可达±0.1PPM(YSO512ET)
差分TCXO:YXC提供包含LVDS、LVPECL、HCSL、CML等输出方式的温补晶振,如YSO250PT系列、YSO251PJ系列。
2、常规定频TCXO V.S 可编程TCXO
常规定频TCXO:频率稳定性高;YXC常规定频TCXO频率温度稳定度最优可达±0.1PPM(YSO512ET)
可编程TCXO:频率范围广;YXC可编程TCXO支持10 ~ 2100MHz范围内的频率任意烧录
3、温补晶振 V.S 压控温补晶振
如果需要同时具备温度补偿和电压控制功能的晶体振荡器,建议选择压控温度补偿晶体振荡器(VCTCXO),如YSV350TP、YSV531PT等。
在电机驱动、电动汽车、快速充电和可再生能源系统中,低功耗辅助电源常被视为"幕后功臣"——尽管其功率等级远低于主功率系统,却直接影响着整套设备的可靠性与能效。面对提升可靠性、缩小体积、降低成本、规避供应链风险等多重挑战,设计人员亟需突破传统设计局限的创新解决方案。Wolfspeed全新推出的工业级 C3M0900170x 与车规级认证(AEC-Q101) E3M0900170x 碳化硅MOSFET系列,正为20-200W辅助电源设计提供关键赋能,助力工程师在性能与成本的博弈中开辟新路径。
在当今高速成像应用中,如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实(AR/VR/MR)和条码扫描,传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心,会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体,具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数(如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等)以及高级功能(如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择),因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。
安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET,构建出高性能共源共栅(cascode)结构,攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻(RDS(on))与卓越热性能,以及Si MOSFET的易控常关特性,为大电流应用(如固态断路器、高功率开关系统)和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。
IR:6红外芯片通过实质性的技术创新,显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能(亮度、效率和图像质量)。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现,特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。
工业设备加速迈向电动化,对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械,充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入(120-480 Vac),并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中,功率因数校正(PFC)级的拓扑选择至关重要,它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战,重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案,并探讨碳化硅(SiC)MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案,为工程师提供清晰的设计指导。