发布时间：2025-05-23 阅读量：848 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在全球高端存储芯片产业格局加速重构的背景下，HBM4技术研发已成为DRAM三巨头战略博弈的核心战场。三星电子近期公布的产能扩张计划显示，该公司正通过大规模技术投资构建差异化竞争优势，力图在下一代高带宽存储器领域实现弯道超车。
从制程技术路线来看，三星采取了更为激进的技术迭代策略。与SK海力士、美光选择1b DRAM（第五代10nm级）工艺作为HBM4基底的保守方案不同，三星直接押注尚未完全成熟的1c DRAM（第六代10nm级）制程技术。据产业链消息人士透露，三星已在其平泽第四园区（P4）建成月产能3万片的首条1c DRAM产线，并计划通过华城17号产线的制程转换，在2025年底前将总产能提升至月产4万片晶圆规模。
这种技术跨越式布局的背后，是三星在逻辑芯片集成领域取得的关键突破。根据《朝鲜日报》披露的工程验证数据，其采用4nm工艺制造的12层堆叠HBM4逻辑控制芯片，测试阶段良率已突破40%的技术临界点。相较于传统2.5D封装方案，这种晶圆级集成技术可显著降低信号传输延迟，为AI运算芯片提供更优的存储解决方案。
市场研究机构TrendForce的最新预测数据显示，受人工智能服务器需求的持续拉动，2026年全球HBM总出货量预计将突破300亿GB大关。其中采用先进封装技术的HBM4产品，将在2026年下半年超越HBM3e成为市场主流，届时具备制程优势和产能保障的企业将占据市场主导地位。
从产业竞争格局观察，三星的产能扩张计划直指当前HBM3市场占有率超50%的SK海力士。通过提前布局更先进的1c制程，三星不仅可在芯片密度和能效比方面建立技术优势，更能在产品迭代周期中掌握主动权。不过需要关注的是，1c DRAM工艺的良率爬坡速度将直接影响三星的产能释放节奏，这将成为决定本轮技术竞赛胜负的关键变量。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子（Mouser Electronics）于2025年8月正式推出工业自动化资源中心，为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展，旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。
