发布时间:2025-06-25 阅读量:86 来源: 艾迈斯欧司朗 发布人: wenwei
【导读】IR:6红外芯片通过实质性的技术创新,显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能(亮度、效率和图像质量)。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现,特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。
IR:6绝非普通升级,而是为多领域带来实质性提升:更清晰的成像效果、更持久的电池续航、更优化的传感器性能等等。搭载IR:6技术的红外LED能输出更明亮、更清晰的图像,确保面部识别精准可靠,赋能安防系统全面升级。即便在弱光环境下,也能实现更清晰的监控画面和更稳定的物体识别。
能效,是可持续发展, 绿色环保的关键。IR:6通过降低功耗显著延长便携设备的续航时间,为可穿戴设备、门铃门锁、笔记本电脑和智能安防系统带来显著优势。除了常规的850nm,940nm,我们推出全新的920nm技术,实现了探测距离与成像质量的完美平衡,使红外摄像机能够捕捉更精细的对比度和细节,减少多余反光,并提升安防系统和身份识别系统的可靠性。
让隐形现形,IR:6的应用场景
红外技术的应用领域远超大众认知,而IR:6技术则进一步强化了这些应用,使其更加可靠、高效和精准。例如在生物识别安防领域,IR:6让笔记本电脑、智能手机和门禁系统能够实现更快更精准的面部识别,确保认证过程流畅安全。智能监控摄像头因成像质量提升,可提供更清晰的画面和更详实的录像记录,全面增强安防能力。其他典型安防应用还包括:远距离闭路电视监控、中短距离闭路电视监控、客流统计、智能门铃、家用监控摄像头和婴儿监护设备等。可穿戴设备与健康监测装备因IR:6实现了更精准的生物数据采集,不仅优化了健康监测与运动追踪功能,更赋能静脉识别、指纹识别、2D面部识别、高精度眼球追踪及增强现实等先进技术。在工业自动化与机器人领域,优化的红外技术强化了物体检测能力,而这正是智能制造与自动驾驶系统的核心需求,由此催生出更高效率、更稳定可靠的工业运营体系,具体应用涵盖工业机器人、机器视觉、交通管控与车牌自动识别等场景。汽车工业则通过IR:6革新了驾驶辅助系统与夜视摄像头性能,确保暗光环境下依然呈现清晰视野,从而提升驾驶安全。
技术突破与客户需求的精准对接
作为行业领导者,艾迈斯欧司朗依托数十年技术创新积累,推出堆叠架构,在单一芯片内实现双P/N结串联结构,使光输出功率较传统单层结构跃升1.8倍。尽管堆叠式LED工作电压更高,但其多维优势显著:组件精简带来空间集约化与系统成本优化,辐射通量与输出功率同步提升,有效照射距离显著拓展。
公司薄膜芯片技术持续精进,成效卓著。产品线中几乎所有红外发光LED均集成多代薄膜芯片,性能实现阶梯式提升。通过在10微米厚度的薄膜层内激发辐射,该技术显著降低能量吸收,光电转换效率得以优化。背向发射光线由金属反射镜层实现精准反射,而特殊纹理化表面通过随机化内部反射角度,使辐射提取效率大幅提升。凭借这些技术突破,薄膜发射器的发光效能较标准体发射器高出约300%。
IR:6技术还实现了材料体系的优化升级。新型内部反射器在增强辐射强度的同时,显著降低了芯片内部的光学损耗。通过优化设计的表面粗化工艺,光能解耦效率得到提升,使得输出光分布更为集中。此外,全新设计的n型接触电极(焊盘)采用芯片表面中心化布局,有效改善了电流在器件表面的分布均匀性,从而降低正向工作电压。
不同红外照明应用对光源特性存在差异化需求。短距离照明聚焦于小视场角下的小区域照射,而中长距离照明则需要更窄的发散角实现大范围覆盖。艾迈斯欧司朗产品矩阵提供多样化的输出功率等级与发散角配置,精准匹配各类应用场景需求。例如:850nm波段产品专为机器视觉或户外安防监控设计,其在成像传感器端具有高灵敏度优势,适合远距离补光;940nm解决方案是面部识别与眼球追踪系统的理想选择,仅伴低红曝, 人眼不被打扰,近距离补光感受更舒适;而920nm技术则能在传感器灵敏度与低红曝之间达成最佳平衡。
IR:6技术的多元化应用领域
艾迈斯欧司朗基于IR:6技术打造了丰富的产品组合,精准适配多样化场景需求:
● OSLON® Black系列提供多样化功率选项,满足汽车座舱传感、工业安防及消费电子等领域的灵活应用;
● OSLON® P1616凭借卓越的封装尺寸与性能比成为标杆产品,在紧凑封装中实现高功率光输出;
● SYNIOS® P2720透镜集成款通过紧凑封装与高功率的结合,专为门禁控制及生物识别系统优化设计。
IR:6技术充分体现了艾迈斯欧司朗“创新驱动发展”的核心战略。它不仅抬高了现有系统的性能基准,更融入了可持续发展理念,为客户带来运营成本降低、能效提升和应用场景拓展等价值,同时进一步巩固了公司在全球红外技术领域的领导地位,实现了企业价值和生态效益的双赢。
工业设备加速迈向电动化,对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械,充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入(120-480 Vac),并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中,功率因数校正(PFC)级的拓扑选择至关重要,它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战,重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案,并探讨碳化硅(SiC)MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案,为工程师提供清晰的设计指导。
技术的迅猛发展持续推动着商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的迫切需求。然而,高温环境会显著劣化集成电路的性能、可靠性与使用寿命,形成亟待解决的技术瓶颈。本文旨在系统分析高温对IC的物理影响,深入剖析高结温带来的核心挑战,并探讨针对高功率应用的有效设计应对策略。
安森美(onsemi)推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管(Cascode FET),通过创新架构融合SiC JFET与低压硅MOSFET,成功解决了SiC JFET常开特性的应用瓶颈。该设计兼具SiC材料的高效优势与硅器件的易控特性,在硬开关与软开关场景中展现显著性能提升。本文将深入剖析其结构原理及核心优势。
在现代电子系统的设计中,晶振作为提供稳定时钟信号的“心脏”,其性能直接影响着整个系统的可靠性与效率。面对差分晶振与无源晶振(晶体谐振器) 这两类核心时钟源,工程师们往往需要在性能、成本、设计复杂度与抗干扰能力之间寻求微妙的平衡。这两者绝非简单的引脚差异,而代表了截然不同的工作原理与设计哲学:
为确保电子系统在各种工作环境下的频率稳定性,尤其是应对频率偏移(如温漂)问题,晶体振荡器(XO)常采用补偿技术。其中,VCXO(电压控制晶振)和TCXO(温度补偿晶振)是实现精密频率补偿的核心方案。VCXO利用电压调控实现精准的频率微调,擅长维持卓越的短期稳定性;而TCXO则通过内置温度传感与补偿电路,在苛刻温度环境中自动维持频率的长期稳定。这两种补偿方式针对不同应用需求,构成了提升时钟源性能的关键路径。