SK海力士斥巨资买设备：聚焦先进制程、EUV设备与HBM4产能扩张

导读：面对全球AI芯片需求爆发与存储器市场结构性升级，韩国半导体巨头SK海力士正加速推进其技术转型与产能布局。2026年，公司计划将资本支出提升至约40万亿韩元（约合290亿美元），较2025年的28万亿韩元大幅增长逾40%。其中，超半数资金将用于购置尖端设备，重点投向1c节点DRAM、321层NAND闪存及下一代高带宽内存（HBM4）的量产能力建设。尤为引人注目的是，SK海力士不惜支付高达20%的溢价，以确保ASML极紫外（EUV）光刻机的优先交付。

在第四季度财报电话会议上，SK海力士表示，到2026年，其资本支出将“维持在营收30%左右的水平”。鉴于全年营收预计约为200万亿韩元，简单计算得出资本支出约为70万亿韩元。然而，这一原则代表的是上限，实际支出预计将低于该数字。

业内人士透露，SK海力士2026年的资本支出预计将达到约40万亿韩元，较去年的28万亿韩元大幅增长。其中超过一半将用于设备购置，其余部分将用于基础设施建设。

基础设施支出的大部分将用于龙仁半导体集群一期工程。上个月，SK海力士宣布计划投资约21万亿韩元用于该集群首座晶圆厂二期至六期的建设。加上此前承诺的9.4万亿韩元，仅一期晶圆厂建设的总投资就将达到约31万亿韩元。其中一部分资金将于今年投入使用，剩余的基础设施支出将用于扩建清州M15X工厂的新洁净室。

此外，SK海力士还将加速推进先进工艺的转型。该公司已正式承诺，今年将把超过一半的DRAM产能用于1c节点生产。主要生产基地包括利川M14和M16，清州M15X工厂也将引进部分1c DRAM生产线。M14工厂的改造投资将覆盖每月约13.5万片晶圆的产能，加上M15X和M16工厂的产能，公司预计到年底1c DRAM的月产能将达到约19万片晶圆。

在NAND闪存方面，公司正在进行以清州M15工厂为中心的结构性生产调整。这包括将NAND闪存生产线从利川M14工厂的底层迁移到M15工厂，同时过渡到第九代（321层）NAND闪存。公司在2025年第三季度财报电话会议上表示，计划今年将321层NAND闪存产品的产能占比提高一半以上。

SK海力士最初的目标是在去年第三季度完成M14工厂到M15工厂的NAND闪存生产线迁移。然而，进度有所放缓，据报道，该流程在11月左右暂停。一位业内人士指出：“去年第一季度M15工厂的低利用率严重延缓了迁移进程。公司内部预计最迟将于本月决定是否恢复迁移。如果恢复，全面迁移预计将于2027年第二季度完成。”

下一代HBM4生产的设备投资也在迅速增加。这被视为此前受SK海力士谨慎投资策略影响的材料、组件和设备供应商的复苏机会。特别是，预计将在今年上半年下达用于HBM生产的后端设备——TC键合机的新订单。1月份从韩美半导体和韩华半导体订购的五台TC键合机，实际上是对已用于HBM3E生产的设备的补充。一位业内人士表示：“SK海力士预计今年将订购约60台用于HBM4生产的TC键合机。”

EUV光刻设备的采购也占据了相当大的投资份额。EUV设备是先进半导体制造的关键，由荷兰公司ASML独家供应。由于年产量仅约40-50台，且从下单到交付的周期超过一年，因此设备分配竞争异常激烈。SK海力士计划今年增购约10台EUV设备。

据报道，为了确保提前交付，SK海力士向ASML支付了溢价。一位业内人士透露，该公司为提前交付设备，支付了比标准EUV设备单价高出15-20%的费用。鉴于单台EUV设备的成本约为3000亿韩元，这意味着每台设备的额外成本高达600亿韩元。

SK海力士2026年的投资蓝图清晰传递出其“以技术换市场”的战略意图：通过EUV驱动的先进制程、高层数NAND及HBM4三大支柱，抢占AI与数据中心时代的存储器高地。