1d DRAM良率未达标，三星无期限推迟HBM5E量产！

我爱方案网4月23日消息，据韩国业界最新披露，三星基于第七代10纳米级工艺（1d DRAM）的良率表现未达内部预设标准，导致公司决定无限期推迟该制程的大规模量产。尽管该技术此前已通过预生产批准（PRA），但鉴于试产阶段的投资回报率（ROI）存在显著风险，三星管理层已叫停相关产线运作。

一位接近三星内部的人士表示：“三星电子计划在D1d良率达到目标之前无限期推迟量产，目前尚未确定重启时间。公司正通过全面重新审视工艺路线图来提升良率。”

D1d DRAM技术在三星未来HBM路线图中至关重要，预计将用于其第九代HBM产品HBM5E。

目前，1c DRAM已应用于包括HBM4、HBM4E和HBM5在内的三代HBM产品。其中，HBM4预计将在今年晚些时候推出，将用于英伟达的Vera Rubin平台以及AMD的MI400平台；HBM4E则可能用于Rubin Ultra和MI500加速器；HBM5及定制版本预计将应用于英伟达 Feynman系列及其他竞品方案。

此前有报道称，三星正在大幅压缩HBM的研发周期，尽管这有助于更快推出新产品，但并不意味着能够快速实现量产。

与此同时，三星也在加大产能布局，在韩国温阳建设一座大型芯片工厂。该设施面积相当于四个足球场，将用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品，涵盖封装、测试、物流及质量控制等关键环节，以支撑长期稳定生产。

值得注意的是，在三星受困于良率问题的同时，其竞争对手SK海力士已在1d DRAM技术上取得关键突破，并确立了良率优势。技术方面，SK海力士不仅完成了相关技术的研发，更在良率控制上领先一步，这使其在争夺英伟达等头部AI客户的大单时占据了更有利的位置。

如今，三星无限期推迟1d DRAM量产，不仅是单一制程节点的战术性调整，更折射出存储巨头在AI算力军备竞赛中的战略焦虑。在HBM4及HBM4E等过渡性产品尚能维持供应的背景下，HBM5E的延期将考验三星在高端市场的客户维系能力。面对SK海力士在良率与产能上的双重压制，三星能否通过全面检视工艺路线图迅速扭转颓势，将直接决定其在下一代AI存储市场的份额与话语权。