重磅！长鑫存储LPDDR6完成研发验证，速率高达12.8Gbps

我爱方案网8月3日消息，据外媒Wccftech报道，中国DRAM芯片厂商长鑫存储（CXMT）在LPDDR6研发上取得关键突破，已基本完成研发验证，距离正式量产仅一步之遥。此举不仅标志着国产DRAM芯片技术实现从“跟跑”到“领跑”的跨越，更有望在全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三大巨头主导的格局中，撕开一道关键的口子。

据报道，长鑫存储的LPDDR6内存芯片已基本完成研发验证（R&D Verification）阶段，这是芯片从设计走向量产前至关重要的环节。

LPDDR内存产品的导入通常需经历四个严格阶段：单颗验证 → 研发验证 → 小批量导入验证 → 正式量产。

其中，研发验证阶段的测试内容包括兼容性验证、系统稳定性测试、性能功耗测试及机械可靠性测试等，旨在全面排查潜在风险，确保产品设计的合理性与可靠性。

长鑫首款LPDDR6产品的规格也同步曝光：设计速率高达12,800 Mbps（12.8 Gbps），与SoC协同运行的基础速率为10,667 Mbps（10.7 Gbps），单die容量为16Gb，采用1295 Ball的POP封装。在低功耗设计和系统可靠性功能上，均较前代LPDDR5X有明显优化。

从当前DRAM大厂的LPDDR6研发进度来看，韩国存储巨头SK海力士的进度最快，近日其已宣布，计划于2026年下半年开始量产LPDDR6内存。SK海力士的LPDDR6芯片基于其第六代10纳米级（1c）工艺制造，目标峰值速度高达14.4 Gbps，比LPDDR5X提升约33%，功耗降低超过20%。小米预计将成为SK海力士LPDDR6的首批客户之一。

虽然三星电子和美光虽然在LPDDR6上也有所布局，但当前战略重心明显转向了利润更为丰厚的HBM（高带宽内存）和服务器DRAM市场。这为长鑫存储在一个相对“空窗期”抢占移动端DRAM市场份额创造了机遇。此前，长鑫存储的DRAM芯片已成功进入小米、OPPO、vivo、传音、荣耀、阿里云、腾讯、字节跳动、联想等主流客户的供应链。